一种压电衬底的制备方法、压电衬底及声波器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111432984.7

申请日：

2021-11-29

公开(公告)号：

CN114189224B

公开(公告)日：

2025-11-04

发明(设计)人：

欧欣柯新建黄凯

申请人：

上海新硅聚合半导体有限公司

申请人地址：

201800 上海市嘉定区汇源路55号8幢3层J

IPC主分类号：

H03H3/08

IPC分类号：

H03H9/02 H03H9/64

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

方秀琴;贾允

法律状态：

授权

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	授权	授权

共 50 条

[1]

一种压电衬底的制备方法、压电衬底及声波器件 [P].

欧欣 ;

柯新建 ;

黄凯 .

中国专利 :CN114189224A ,2022-03-15

[2]

一种压电衬底、制备方法及声波器件 [P].

欧欣 ;

柯新建 ;

黄凯 .

中国专利 :CN120034152A ,2025-05-23

[3]

一种单晶压电衬底结构、制备方法及声波器件 [P].

欧欣 ;

柯新建 ;

黄凯 .

中国专利 :CN115101657A ,2022-09-23

[4]

一种压电异质衬底结构、制备方法及声波器件 [P].

欧欣 ;

柯新建 ;

黄凯 .

中国专利 :CN117897035A ,2024-04-16

[5]

一种单晶压电衬底结构、制备方法及声波器件 [P].

欧欣 ;

柯新建 ;

黄凯 .

中国专利 :CN118843376A ,2024-10-25

[6]

一种压电衬底、制备方法及电子元器件 [P].

李真宇 ;

杨超 ;

李洋洋 ;

张秀全 ;

张涛 ;

韩智勇 .

中国专利 :CN112688658B ,2021-04-20

[7]

一种压电衬底、制备方法及电子元器件 [P].

李真宇 ;

杨超 ;

李洋洋 ;

张秀全 ;

张涛 ;

韩智勇 .

中国专利 :CN112787618A ,2021-05-11

[8]

复合压电衬底的制备方法 [P].

宋永军 ;

姚志勇 ;

王晓宇 ;

母凤文 ;

郭超 .

中国专利 :CN118714913A ,2024-09-27

[9]

一种压电异质衬底、制备方法及半导体器件 [P].

欧欣 ;

柯新建 ;

黄凯 .

中国专利 :CN119497563A ,2025-02-21

[10]

一种压电衬底 [P].

李勇 ;

朱卫俊 ;

何朝峰 ;

黄亮 ;

马杰 ;

王祥邦 ;

周陈程 ;

沈得田 ;

林毅 .

中国专利 :CN211127745U ,2020-07-28

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