一种压电异质衬底、制备方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411511585.3

申请日：

2024-10-28

公开(公告)号：

CN119497563A

公开(公告)日：

2025-02-21

发明(设计)人：

欧欣柯新建黄凯

申请人：

上海新硅聚合半导体有限公司

申请人地址：

201800 上海市嘉定区汇源路55号8幢3层J

IPC主分类号：

H10N30/87

IPC分类号：

H10N30/88 H10N30/06 H10N30/072 H10N30/086

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

方秀琴

法律状态：

公开

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-21	公开	公开
2025-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 30/87申请日:20241028

共 50 条

[1]

一种异质衬底的制备方法及异质衬底、半导体器件 [P].

游天桂 ;

覃晴程 ;

欧欣 ;

石航宁 ;

刘旭冬 .

中国专利 :CN117373912A ,2024-01-09

[2]

一种压电异质结构、制备方法及半导体器件 [P].

欧欣 ;

柯新建 ;

黄凯 .

中国专利 :CN119497562A ,2025-02-21

[3]

一种压电异质衬底结构、制备方法及声波器件 [P].

欧欣 ;

柯新建 ;

黄凯 .

中国专利 :CN117897035A ,2024-04-16

[4]

一种氮化物半导体衬底的制备方法、半导体衬底及半导体器件 [P].

程凯 .

中国专利 :CN118367013A ,2024-07-19

[5]

一种硅基异质衬底结构及其制备方法、半导体器件 [P].

欧欣 ;

柯新建 ;

黄凯 .

中国专利 :CN119297150A ,2025-01-10

[6]

半导体复合衬底、半导体器件及制备方法 [P].

田野 ;

母凤文 .

中国专利 :CN113690298A ,2021-11-23

[7]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

陈峰 .

中国专利 :CN112951897A ,2021-06-11

[8]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN103681992A ,2014-03-26

[9]

一种压电异质衬底结构及制备方法 [P].

欧欣 ;

柯新建 ;

黄凯 .

中国专利 :CN118695766A ,2024-09-24

[10]

一种异质衬底半导体薄膜器件对准方法 [P].

戴家赟 ;

王飞 ;

许理达 ;

吴立枢 ;

王元 ;

朱健 ;

陈堂胜 .

中国专利 :CN112542413A ,2021-03-23

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