一种压电异质结构、制备方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411511583.4

申请日：

2024-10-28

公开(公告)号：

CN119497562A

公开(公告)日：

2025-02-21

发明(设计)人：

欧欣柯新建黄凯

申请人：

上海新硅聚合半导体有限公司

申请人地址：

201800 上海市嘉定区汇源路55号8幢3层J

IPC主分类号：

H10N30/87

IPC分类号：

H10N30/88 H10N30/80 H10N30/06 H10N30/072

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

方秀琴

法律状态：

公开

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-21	公开	公开
2025-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 30/87申请日:20241028

共 50 条

[1]

一种压电异质衬底、制备方法及半导体器件 [P].

欧欣 ;

柯新建 ;

黄凯 .

中国专利 :CN119497563A ,2025-02-21

[2]

半导体异质结构及半导体器件 [P].

唐军 ;

陶淳 ;

齐胜利 ;

潘尧波 ;

纪攀峰 ;

沈波 ;

杨学林 .

中国专利 :CN111009579A ,2020-04-14

[3]

复合异质集成半导体结构、半导体器件及制备方法 [P].

欧欣 ;

石航宁 ;

游天桂 ;

周李平 ;

徐文慧 .

中国专利 :CN112530855A ,2021-03-19

[4]

复合异质集成半导体结构、半导体器件及制备方法 [P].

欧欣 ;

石航宁 ;

游天桂 ;

周李平 ;

徐文慧 .

中国专利 :CN112530855B ,2024-04-12

[5]

异质集成结构及其制备方法、半导体器件 [P].

高标 ;

谢冬 .

中国专利 :CN118073965B ,2025-07-29

[6]

异质集成结构及其制备方法、半导体器件 [P].

高标 ;

谢冬 .

中国专利 :CN118073965A ,2024-05-24

[7]

一种半导体结构、制备方法及半导体器件 [P].

崔卫刚 .

中国专利 :CN120565489B ,2025-10-10

[8]

一种半导体结构、制备方法及半导体器件 [P].

崔卫刚 .

中国专利 :CN120565489A ,2025-08-29

[9]

一种半导体结构、制备方法及半导体器件 [P].

崔卫刚 .

中国专利 :CN120565491A ,2025-08-29

[10]

一种半导体结构、制备方法及半导体器件 [P].

崔卫刚 .

中国专利 :CN120565491B ,2025-10-10

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