异质集成结构及其制备方法、半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410188617.4

申请日：

2024-02-20

公开(公告)号：

CN118073965A

公开(公告)日：

2024-05-24

发明(设计)人：

高标谢冬

申请人：

湖北江城实验室

申请人地址：

430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷一路227号3号楼

IPC主分类号：

H01S5/40

IPC分类号：

H01S5/02

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

任会会;吴素花

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-24	公开	公开
2025-07-29	授权	授权
2024-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/40申请日:20240220

共 50 条

[1]

异质集成结构及其制备方法、半导体器件 [P].

高标 ;

谢冬 .

中国专利 :CN118073965B ,2025-07-29

[2]

复合异质集成半导体结构、半导体器件及制备方法 [P].

欧欣 ;

石航宁 ;

游天桂 ;

周李平 ;

徐文慧 .

中国专利 :CN112530855A ,2021-03-19

[3]

复合异质集成半导体结构、半导体器件及制备方法 [P].

欧欣 ;

石航宁 ;

游天桂 ;

周李平 ;

徐文慧 .

中国专利 :CN112530855B ,2024-04-12

[4]

集成半导体器件及其制备方法 [P].

郎晨智 ;

陈天 ;

肖莉 ;

王黎 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN119133083A ,2024-12-13

[5]

集成半导体器件及其制备方法 [P].

崔卫刚 .

中国专利 :CN120529631A ,2025-08-22

[6]

集成半导体器件及其制备方法 [P].

崔卫刚 .

中国专利 :CN120529631B ,2025-10-10

[7]

半导体异质结构及半导体器件 [P].

唐军 ;

陶淳 ;

齐胜利 ;

潘尧波 ;

纪攀峰 ;

沈波 ;

杨学林 .

中国专利 :CN111009579A ,2020-04-14

[8]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

刘洋 ;

李松雨 ;

陶大伟 .

中国专利 :CN118102710A ,2024-05-28

[9]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

廖学海 ;

明玉坤 ;

邹鹏 .

中国专利 :CN121099680A ,2025-12-09

[10]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

张旭 ;

储郁冬 ;

陆琦 ;

赵天楚 .

中国专利 :CN118866807A ,2024-10-29

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