具有半导体薄膜的组合半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200310118175.4

申请日：

2003-11-13

公开(公告)号：

CN1501493A

公开(公告)日：

2004-06-02

发明(设计)人：

荻原光彦藤原博之安孙子一松佐久田昌明

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2352

IPC分类号：

H01L2348 H01L2700 H01L3300 H01L2500 G03G1500

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

吴立明;梁永

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-01-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-06-02	公开	公开
2013-07-17	授权	授权
2022-04-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 23/52 登记生效日:20220328 变更事项:专利权人变更前权利人:日本冲信息株式会社变更后权利人:冲电气工业株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京港区虎之门１丁目７番１２号

共 50 条

[1]

具有半导体薄膜的组合半导体装置 [P].

荻原光彦 ;

藤原博之 ;

安孙子一松 ;

佐久田昌明 .

中国专利 :CN101800183B ,2010-08-11

[2]

具有半导体薄膜的组合半导体装置 [P].

荻原光彦 ;

藤原博之 ;

安孙子一松 ;

佐久田昌明 .

中国专利 :CN102529420B ,2012-07-04

[3]

具有半导体薄膜的半导体装置 [P].

荻原光彦 ;

藤原博之 ;

佐久田昌明 ;

安孙子一松 .

中国专利 :CN101359660B ,2009-02-04

[4]

半导体薄膜以及半导体器件 [P].

山崎舜平 ;

宫永昭治 ;

小山润 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1165976C ,1997-11-26

[5]

薄膜、半导体薄膜、半导体器件的生产方法 [P].

中屿英晴 ;

根来阳一 ;

碓井节夫 .

中国专利 :CN1348200A ,2002-05-08

[6]

半导体薄膜、半导体薄膜的制备方法和半导体元件 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

本田克典 .

中国专利 :CN101679036A ,2010-03-24

[7]

半导体薄膜、半导体薄膜的制备方法和半导体元件 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

本田克典 .

中国专利 :CN103274608A ,2013-09-04

[8]

具有半导体装置的半导体电路 [P].

C·拉纳赫尔 ;

O·布兰克 ;

A·费拉拉 ;

M·罗施 .

:CN120432466A ,2025-08-05

[9]

有机半导体材料,有机半导体薄膜和有机半导体器件 [P].

大江貴裕 ;

川島紀之 ;

高橋保 ;

菅野研一郎 .

中国专利 :CN1872836A ,2006-12-06

[10]

半导体装置及具有半导体装置的半导体系统 [P].

杉本雅裕 ;

樋口安史 .

中国专利 :CN114747021A ,2022-07-12

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