形成沟槽及双镶嵌结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910049282.3

申请日：

2009-04-14

公开(公告)号：

CN101866845B

公开(公告)日：

2010-10-20

发明(设计)人：

周鸣尹晓明

申请人：

申请人地址：

201203 上海市张江路18号

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-10-20	公开	公开
2021-03-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/311 申请日:20090414 授权公告日:20121003 终止日期:20200414
2012-10-03	授权	授权

共 50 条

[1]

形成沟槽及双镶嵌结构的方法 [P].

周鸣 ;

尹晓明 .

中国专利 :CN101840857B ,2010-09-22

[2]

双镶嵌结构的形成方法 [P].

宁先捷 .

中国专利 :CN101055421A ,2007-10-17

[3]

双镶嵌结构的形成方法 [P].

宁先捷 .

中国专利 :CN100576499C ,2008-11-26

[4]

形成接触孔及双镶嵌结构的方法 [P].

周鸣 ;

王新鹏 .

中国专利 :CN101630656A ,2010-01-20

[5]

双镶嵌结构的结构和形成方法 [P].

彭泰彥 ;

谢志宏 .

中国专利 :CN105374772B ,2016-03-02

[6]

金属布线沟槽的形成方法 [P].

李凡 ;

洪中山 .

中国专利 :CN101958277B ,2011-01-26

[7]

双镶嵌结构及其形成方法 [P].

王琪 .

中国专利 :CN102054751A ,2011-05-11

[8]

双镶嵌结构的形成方法、半导体结构 [P].

王琪 ;

周鸣 .

中国专利 :CN102054762A ,2011-05-11

[9]

双镶嵌结构的形成方法 [P].

李敏 .

中国专利 :CN102856248A ,2013-01-02

[10]

双镶嵌结构的形成方法 [P].

徐载景 ;

张迎春 .

中国专利 :CN101295667A ,2008-10-29

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