半导体器件和形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110230854.9

申请日：

2021-03-02

公开(公告)号：

CN113451510A

公开(公告)日：

2021-09-28

发明(设计)人：

林宏勋许哲志黄文助苏劲宇陈彦羽华伟君洪文瀚

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L4902

IPC分类号：

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-28	公开	公开
2021-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 49/02 申请日:20210302

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

高健 ;

李天宇 ;

石俊 ;

殷然 ;

杨红心 ;

陈彬 .

中国专利 :CN121038288A ,2025-11-28

[2]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

常庆环 ;

刘峻 ;

王猛 ;

高健 ;

汪前莉 .

中国专利 :CN121194470A ,2025-12-23

[3]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

刘国强 ;

熊博文 ;

雷威锋 ;

张恒 ;

王恩博 ;

刘峻 .

中国专利 :CN121152219A ,2025-12-16

[4]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

温智廷 ;

韩亚朋 ;

蓝洲 .

中国专利 :CN121194471A ,2025-12-23

[5]

半导体膜的形成方法、半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

薮田久人 ;

加地信幸 ;

林享 .

中国专利 :CN102341912B ,2015-12-02

[6]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

李乐 .

中国专利 :CN103390560A ,2013-11-13

[7]

半导体器件和形成方法 [P].

徐俊伟 ;

聂菱甫 ;

朱品磊 ;

刘启人 ;

林易生 ;

张庭熏 ;

何嘉玮 ;

陈亮光 .

中国专利 :CN109585361B ,2019-04-05

[8]

半导体器件和形成方法 [P].

潘志坚 ;

高金福 ;

郑礼辉 ;

卢思维 .

中国专利 :CN111128767A ,2020-05-08

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

王俊文 ;

洪齐元 ;

余兴 .

中国专利 :CN115312463A ,2022-11-08

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

王俊文 ;

洪齐元 ;

余兴 .

中国专利 :CN115312463B ,2024-05-14

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