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半导体器件和制造半导体器件的方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201010516547.9
申请日：
2010-10-20
公开(公告)号：
CN102054789B
公开(公告)日：
2011-05-11
发明(设计)人：
别宫史浩
申请人：
申请人地址：
日本神奈川县
IPC主分类号：
H01L2300
IPC分类号：
H01L2160
代理机构：
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人：
孙志湧;穆德骏
法律状态：
专利权的终止
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-10-09 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/00 申请日:20101020 授权公告日:20141224 终止日期:20191020 |
| 2012-09-05 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101322614712 IPC(主分类):H01L 23/00 专利申请号:2010105165479 申请日:20101020 |
| 2017-12-19 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 23/00 变更事项:专利权人 变更前:瑞萨电子株式会社 变更后:瑞萨电子株式会社 变更事项:地址 变更前:日本神奈川县 变更后:日本东京 |
| 2014-12-24 | 授权 | 授权 |
| 2011-05-11 | 公开 | 公开 |