具高功率脉冲离子源的磁控溅射装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510708221.9

申请日：

2015-10-27

公开(公告)号：

CN105220122B

公开(公告)日：

2016-01-06

发明(设计)人：

张斌张俊彦高凯雄强力王健

申请人：

申请人地址：

730000 甘肃省兰州市城关区天水中路18号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

代理机构：

兰州中科华西专利代理有限公司 62002

代理人：

方晓佳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-06	公开	公开
2016-02-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101644499091 IPC(主分类):C23C 14/35 专利申请号:2015107082219 申请日:20151027
2018-06-29	授权	授权

共 50 条

[1]

具高功率脉冲离子源的磁控溅射装置 [P].

张斌 ;

张俊彦 ;

高凯雄 ;

强力 ;

王健 .

中国专利 :CN205152323U ,2016-04-13

[2]

一种离子源辅助高功率脉冲磁控溅射沉积装置 [P].

孙德恩 ;

李静 ;

梁斐珂 .

中国专利 :CN107723674A ,2018-02-23

[3]

高功率复合脉冲磁控溅射离子注入与沉积方法 [P].

田修波 ;

吴忠振 ;

巩春志 ;

杨士勤 .

中国专利 :CN101838795A ,2010-09-22

[4]

一种高功率脉冲溅射源离子磁控溅射装置 [P].

彭长明 ;

陈雪影 .

中国专利 :CN117888069A ,2024-04-16

[5]

一种高功率脉冲磁控溅射电源及其薄膜制备装置 [P].

窦久存 ;

赵文军 .

中国专利 :CN221177675U ,2024-06-18

[6]

采用串联辅助电源的高功率脉冲磁控溅射电源及其方法 [P].

窦久存 ;

赵文军 .

中国专利 :CN117614309B ,2024-09-13

[7]

高功率脉冲磁控溅射电源 [P].

窦久存 .

中国专利 :CN204442196U ,2015-07-01

[8]

采用串联辅助电源的高功率脉冲磁控溅射电源及其方法 [P].

窦久存 ;

赵文军 .

中国专利 :CN117614309A ,2024-02-27

[9]

高功率脉冲磁控溅射制备TiAlSiN复合涂层的方法 [P].

李志荣 ;

李迎春 ;

刘江江 .

中国专利 :CN111155064A ,2020-05-15

[10]

一种CrSiCN膜用高功率单极脉冲磁控溅射电源 [P].

蔡俊信 .

中国专利 :CN211005590U ,2020-07-14

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