一种无添加剂低压制备高纯氮化硅的方法

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专利类型
发明
申请号
CN201610611915.5
申请日
2016-07-31
公开(公告)号
CN106241754A
公开(公告)日
2016-12-21
发明(设计)人
高勇 刘久明 付亚杰
申请人
申请人地址
054300 河北省邢台市临城县工业园区中兴路北段路西
IPC主分类号
C01B21068
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
一种高纯氮化硅粉末的制备方法 [P]. 
杨志平 ;
张银霞 ;
赵金鑫 .
中国专利 :CN106810267B ,2017-06-09
[2]
一种高纯氮化硅粉末的制备方法 [P]. 
郭大为 ;
陈成 ;
吕东 ;
和法明 .
中国专利 :CN106673670A ,2017-05-17
[3]
一种氮化硅烧结体添加剂 [P]. 
彭虎 ;
刘建平 .
中国专利 :CN101665363B ,2010-03-10
[4]
一种无添加剂燃烧合成制备亚微米级高α相氮化硅粉体的方法 [P]. 
陈克新 ;
葛一瑶 ;
邹艺峰 ;
崔巍 ;
刘光华 .
中国专利 :CN103771359A ,2014-05-07
[5]
用于氮化硅烧结体的添加剂 [P]. 
孙琼珂 ;
袁波 ;
张玲 .
中国专利 :CN108046809A ,2018-05-18
[6]
一种窄粒度分布高纯氮化硅粉体的制备方法 [P]. 
张嵘 ;
刘久明 .
中国专利 :CN106220188A ,2016-12-14
[7]
一种结构陶瓷用高纯氮化硅粉体的制备方法 [P]. 
付亚杰 ;
刘久明 .
中国专利 :CN107673766A ,2018-02-09
[8]
一种高纯氮化硅粉体制备设备 [P]. 
王凯 .
中国专利 :CN207684887U ,2018-08-03
[9]
一种易烧结高纯氮化硅粉体的制备方法 [P]. 
张景贤 ;
段于森 .
中国专利 :CN114716252A ,2022-07-08
[10]
氨解法制备高纯氮化硅粉体方法 [P]. 
许立信 ;
刘岳 ;
韩召 ;
万超 .
中国专利 :CN113148966B ,2021-07-23