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一种无添加剂低压制备高纯氮化硅的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201610611915.5
申请日
:
2016-07-31
公开(公告)号
:
CN106241754A
公开(公告)日
:
2016-12-21
发明(设计)人
:
高勇
刘久明
付亚杰
申请人
:
申请人地址
:
054300 河北省邢台市临城县工业园区中兴路北段路西
IPC主分类号
:
C01B21068
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-02-28
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01B 21/068 申请公布日:20161221
2016-12-21
公开
公开
共 50 条
[1]
一种高纯氮化硅粉末的制备方法
[P].
杨志平
论文数:
0
引用数:
0
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杨志平
;
张银霞
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张银霞
;
赵金鑫
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赵金鑫
.
中国专利
:CN106810267B
,2017-06-09
[2]
一种高纯氮化硅粉末的制备方法
[P].
郭大为
论文数:
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郭大为
;
陈成
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陈成
;
吕东
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吕东
;
和法明
论文数:
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和法明
.
中国专利
:CN106673670A
,2017-05-17
[3]
一种氮化硅烧结体添加剂
[P].
彭虎
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彭虎
;
刘建平
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刘建平
.
中国专利
:CN101665363B
,2010-03-10
[4]
一种无添加剂燃烧合成制备亚微米级高α相氮化硅粉体的方法
[P].
陈克新
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陈克新
;
葛一瑶
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葛一瑶
;
邹艺峰
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邹艺峰
;
崔巍
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崔巍
;
刘光华
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刘光华
.
中国专利
:CN103771359A
,2014-05-07
[5]
用于氮化硅烧结体的添加剂
[P].
孙琼珂
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孙琼珂
;
袁波
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袁波
;
张玲
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张玲
.
中国专利
:CN108046809A
,2018-05-18
[6]
一种窄粒度分布高纯氮化硅粉体的制备方法
[P].
张嵘
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张嵘
;
刘久明
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刘久明
.
中国专利
:CN106220188A
,2016-12-14
[7]
一种结构陶瓷用高纯氮化硅粉体的制备方法
[P].
付亚杰
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付亚杰
;
刘久明
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刘久明
.
中国专利
:CN107673766A
,2018-02-09
[8]
一种高纯氮化硅粉体制备设备
[P].
王凯
论文数:
0
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0
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0
王凯
.
中国专利
:CN207684887U
,2018-08-03
[9]
一种易烧结高纯氮化硅粉体的制备方法
[P].
张景贤
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张景贤
;
段于森
论文数:
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0
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段于森
.
中国专利
:CN114716252A
,2022-07-08
[10]
氨解法制备高纯氮化硅粉体方法
[P].
许立信
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许立信
;
刘岳
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刘岳
;
韩召
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韩召
;
万超
论文数:
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万超
.
中国专利
:CN113148966B
,2021-07-23
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