一种无添加剂燃烧合成制备亚微米级高α相氮化硅粉体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310726544.1

申请日：

2013-12-26

公开(公告)号：

CN103771359A

公开(公告)日：

2014-05-07

发明(设计)人：

陈克新葛一瑶邹艺峰崔巍刘光华

申请人：

申请人地址：

300457 天津市天津经济技术开发区天大科技园C4楼

IPC主分类号：

C01B21068

IPC分类号：

C04B35584 C04B35626

代理机构：

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法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582695633 IPC(主分类):C01B 21/068 专利申请号:2013107265441 申请日:20131226
2014-05-07	公开	公开
2015-11-25	授权	授权

共 50 条

[1]

一种亚微米级氮化硅粉体的制备方法 [P].

杨阳 ;

彭昆鹏 ;

潘佳伟 ;

王龙 ;

周平 .

中国专利 :CN120383482A ,2025-07-29

[2]

一种亚微米级单相氮化硅粉体的合成方法 [P].

郑治祥 ;

姜坤 .

中国专利 :CN102556986A ,2012-07-11

[3]

一种改性高α相氮化硅粉体的制备方法 [P].

张红冉 ;

刘久明 .

中国专利 :CN107698264A ,2018-02-16

[4]

用燃烧合成高α相超细氮化硅粉体及氮化硅晶须的方法 [P].

葛昌纯 ;

曹永革 .

中国专利 :CN1433959A ,2003-08-06

[5]

一种低压燃烧合成高α相氮化硅粉体的方法 [P].

陈克新 ;

周和平 ;

葛振斌 .

中国专利 :CN1362358A ,2002-08-07

[6]

氮化硅纳米线制备方法，氮化硅纳米线、氮化硅粉体及氮化硅亚微米粉体 [P].

雷超 ;

魏飞 ;

张晨曦 .

中国专利 :CN106477538A ,2017-03-08

[7]

一种燃烧合成氮化硅粉体的方法 [P].

李江涛 ;

王良 ;

杨增朝 ;

贺刚 ;

杨潇 ;

李永 ;

双爽 .

中国专利 :CN108996483A ,2018-12-14

[8]

一种制备亚微米氮化硅的方法 [P].

韩凤兰 ;

吴澜尔 ;

江涌 .

中国专利 :CN102206082A ,2011-10-05

[9]

用于燃烧合成高α相氮化硅粉体的布料舟 [P].

邹明初 .

中国专利 :CN207276201U ,2018-04-27

[10]

一种无添加剂低压制备高纯氮化硅的方法 [P].

高勇 ;

刘久明 ;

付亚杰 .

中国专利 :CN106241754A ,2016-12-21

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