一种亚微米级单相氮化硅粉体的合成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210045285.1

申请日：

2012-02-27

公开(公告)号：

CN102556986A

公开(公告)日：

2012-07-11

发明(设计)人：

郑治祥姜坤

申请人：

申请人地址：

230009 安徽省合肥市屯溪路193号

IPC主分类号：

C01B21068

IPC分类号：

代理机构：

安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101

代理人：

何梅生

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 21/068 申请日:20120227 授权公告日:20130918 终止日期:20180227
2013-09-18	授权	授权
2012-07-11	公开	公开
2012-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101324738278 IPC(主分类):C01B 21/068 专利申请号:2012100452851 申请日:20120227

共 50 条

[1]

一种亚微米级氮化硅粉体的制备方法 [P].

杨阳 ;

彭昆鹏 ;

潘佳伟 ;

王龙 ;

周平 .

中国专利 :CN120383482A ,2025-07-29

[2]

氮化硅纳米线制备方法，氮化硅纳米线、氮化硅粉体及氮化硅亚微米粉体 [P].

雷超 ;

魏飞 ;

张晨曦 .

中国专利 :CN106477538A ,2017-03-08

[3]

一种新型氮化硅粉体的合成方法 [P].

李军 ;

许壮志 ;

薛健 ;

王欣丹 ;

王世林 .

中国专利 :CN105712305A ,2016-06-29

[4]

一种制备亚微米氮化硅的方法 [P].

韩凤兰 ;

吴澜尔 ;

江涌 .

中国专利 :CN102206082A ,2011-10-05

[5]

氮化硅粉体的制备方法及氮化硅粉体 [P].

史颖颖 ;

王正 ;

王良 ;

杜盼盼 ;

薛国梁 .

中国专利 :CN119241256A ,2025-01-03

[6]

氮化硅粉体的制备方法及氮化硅粉体 [P].

史颖颖 ;

王正 ;

王良 ;

杜盼盼 ;

薛国梁 .

中国专利 :CN119241256B ,2025-03-25

[7]

一种无添加剂燃烧合成制备亚微米级高α相氮化硅粉体的方法 [P].

陈克新 ;

葛一瑶 ;

邹艺峰 ;

崔巍 ;

刘光华 .

中国专利 :CN103771359A ,2014-05-07

[8]

氮化硅锰合金的微波合成方法 [P].

唐玉鹏 ;

刘福东 ;

孙岩铎 ;

柏森 ;

高辉 ;

高海军 ;

朱宏伟 ;

李志峰 ;

张喜瑞 ;

刘德明 ;

崔贤 .

中国专利 :CN101962725A ,2011-02-02

[9]

一种氮化硅粉体合成装置 [P].

张继才 ;

颜鹏佳 ;

颜井意 ;

杜建周 ;

颜成贵 ;

谢永忠 .

中国专利 :CN213352829U ,2021-06-04

[10]

一种燃烧合成氮化硅粉体的方法 [P].

李江涛 ;

王良 ;

杨增朝 ;

贺刚 ;

杨潇 ;

李永 ;

双爽 .

中国专利 :CN108996483A ,2018-12-14

← 1 2 3 4 5 →