一种亚微米级氮化硅粉体的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510522433.1

申请日：

2025-04-24

公开(公告)号：

CN120383482A

公开(公告)日：

2025-07-29

发明(设计)人：

杨阳彭昆鹏潘佳伟王龙周平

申请人：

浙江英德赛半导体材料股份有限公司

申请人地址：

314400 浙江省嘉兴市海宁市尖山新区安江路38号

IPC主分类号：

C04B35/587

IPC分类号：

C04B35/626

代理机构：

杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217

代理人：

刘竹青

法律状态：

公开

国省代码：

浙江省嘉兴市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-29	公开	公开
2025-08-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/587申请日:20250424

共 50 条

[1]

氮化硅纳米线制备方法，氮化硅纳米线、氮化硅粉体及氮化硅亚微米粉体 [P].

雷超 ;

魏飞 ;

张晨曦 .

中国专利 :CN106477538A ,2017-03-08

[2]

一种氮化硅粉体的制备方法 [P].

冯家伟 ;

施纯锡 .

中国专利 :CN119330315A ,2025-01-21

[3]

氮化硅粉体的制备方法及氮化硅粉体 [P].

史颖颖 ;

王正 ;

王良 ;

杜盼盼 ;

薛国梁 .

中国专利 :CN119241256A ,2025-01-03

[4]

氮化硅粉体及其制备方法、氮化硅陶瓷 [P].

韩召 ;

刘鹏飞 ;

郗威 ;

吴六顺 .

中国专利 :CN118420356A ,2024-08-02

[5]

氮化硅粉体的制备方法及氮化硅粉体 [P].

史颖颖 ;

王正 ;

王良 ;

杜盼盼 ;

薛国梁 .

中国专利 :CN119241256B ,2025-03-25

[6]

一种亚微米级单相氮化硅粉体的合成方法 [P].

郑治祥 ;

姜坤 .

中国专利 :CN102556986A ,2012-07-11

[7]

一种氮化硅粉体的制备方法 [P].

任小平 .

中国专利 :CN108557780A ,2018-09-21

[8]

一种氮化硅粉体的制备方法 [P].

潘佳伟 ;

胡尊兰 ;

周平 ;

王龙 ;

杨阳 ;

赵晓兰 .

中国专利 :CN120157089A ,2025-06-17

[9]

一种制备亚微米氮化硅的方法 [P].

韩凤兰 ;

吴澜尔 ;

江涌 .

中国专利 :CN102206082A ,2011-10-05

[10]

一种氮化硅粉体前驱体、氮化硅粉体及其制备方法 [P].

高朋召 ;

肖汉宁 ;

覃航 ;

郭文明 .

中国专利 :CN119039007A ,2024-11-29

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