半导体元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210017576.X

申请日：

2012-01-19

公开(公告)号：

CN102623499A

公开(公告)日：

2012-08-01

发明(设计)人：

斋藤涉小野升太郎仲敏行谷内俊治渡边美穗山下浩明

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L2906

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

徐殿军

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-09	授权	授权
2012-08-01	公开	公开
2012-09-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101329747944 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201210017576X 申请日:20120119

共 50 条

[1]

半导体元件 [P].

小笠原将明 ;

新井隆太 ;

细井重广 .

中国专利 :CN103367360A ,2013-10-23

[2]

半导体元件 [P].

斋藤涉 ;

小野升太郎 ;

仲敏行 ;

谷内俊治 ;

渡边美穗 ;

山下浩明 .

中国专利 :CN102694010A ,2012-09-26

[3]

功率半导体元件 [P].

中村和敏 ;

松田正 ;

二宫英彰 .

中国专利 :CN103681824A ,2014-03-26

[4]

电力半导体元件 [P].

斋藤涉 ;

小野升太郎 ;

薮崎宗久 ;

羽田野菜名 ;

渡边美穗 .

中国专利 :CN101997034A ,2011-03-30

[5]

半导体元件 [P].

斋藤涉 ;

小野升太郎 ;

仲敏行 ;

谷内俊治 ;

渡边美穗 ;

山下浩明 .

中国专利 :CN102694029A ,2012-09-26

[6]

半导体元件 [P].

斋藤涉 .

中国专利 :CN102623493A ,2012-08-01

[7]

半导体元件 [P].

内田正雄 ;

堀川信之 ;

田中康太郎 ;

清泽努 .

中国专利 :CN103890953A ,2014-06-25

[8]

半导体元件 [P].

内田正雄 ;

斋藤浩一 ;

长谷川贵史 .

中国专利 :CN111584613A ,2020-08-25

[9]

半导体元件 [P].

岩津泰德 ;

猪原正弘 .

中国专利 :CN105990401A ,2016-10-05

[10]

半导体元件以及半导体装置 [P].

小野瑞城 .

中国专利 :CN101483193B ,2009-07-15

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