半导体元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210061291.6

申请日：

2012-03-09

公开(公告)号：

CN102694029A

公开(公告)日：

2012-09-26

发明(设计)人：

斋藤涉小野升太郎仲敏行谷内俊治渡边美穗山下浩明

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

陈萍

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20120309 授权公告日:20160203 终止日期:20170309
2012-09-26	公开	公开
2012-11-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101349732926 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012100612916 申请日:20120309
2016-02-03	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体元件 [P].

斋藤涉 .

中国专利 :CN102623493A ,2012-08-01

[2]

半导体元件 [P].

斋藤涉 ;

小野升太郎 ;

仲敏行 ;

谷内俊治 ;

渡边美穗 ;

山下浩明 .

中国专利 :CN102694010A ,2012-09-26

[3]

电力半导体元件 [P].

斋藤涉 ;

小野升太郎 ;

薮崎宗久 ;

羽田野菜名 ;

渡边美穗 .

中国专利 :CN101997034A ,2011-03-30

[4]

半导体元件 [P].

小笠原将明 ;

新井隆太 ;

细井重广 .

中国专利 :CN103367360A ,2013-10-23

[5]

半导体元件 [P].

斋藤涉 ;

小野升太郎 ;

仲敏行 ;

谷内俊治 ;

渡边美穗 ;

山下浩明 .

中国专利 :CN102623499A ,2012-08-01

[6]

半导体元件 [P].

斋藤涉 ;

藤本英俊 .

中国专利 :CN102623498A ,2012-08-01

[7]

氮化物半导体元件 [P].

斋藤渉 ;

小野村正明 .

中国专利 :CN1921147A ,2007-02-28

[8]

氮化物半导体元件 [P].

斋藤渉 ;

小野村正明 ;

田中明 ;

橘浩一 ;

藏口雅彦 ;

野田隆夫 ;

新田智洋 ;

吉冈启 .

中国专利 :CN1921148A ,2007-02-28

[9]

氮化物半导体元件 [P].

吉冈启 ;

斋藤涉 ;

齐藤泰伸 ;

藤本英俊 ;

大野哲也 .

中国专利 :CN102237402B ,2011-11-09

[10]

功率半导体元件 [P].

中村和敏 ;

松田正 ;

二宫英彰 .

中国专利 :CN103681824A ,2014-03-26

← 1 2 3 4 5 →