电力半导体元件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010263767.5
申请日
2010-08-25
公开(公告)号
CN101997034A
公开(公告)日
2011-03-30
发明(设计)人
斋藤涉 小野升太郎 薮崎宗久 羽田野菜名 渡边美穗
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L2906
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
徐殿军
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
电力半导体元件 [P]. 
斋藤涉 .
中国专利 :CN103681852A ,2014-03-26
[2]
电力半导体元件 [P]. 
斎藤涉 .
中国专利 :CN103681851A ,2014-03-26
[3]
电力半导体元件 [P]. 
长谷川真纪 ;
加藤正博 ;
中川信也 ;
川藤寿 ;
岩上彻 .
中国专利 :CN303119411S ,2015-03-04
[4]
半导体元件 [P]. 
斋藤涉 ;
小野升太郎 ;
仲敏行 ;
谷内俊治 ;
渡边美穗 ;
山下浩明 .
中国专利 :CN102694010A ,2012-09-26
[5]
半导体元件 [P]. 
斋藤涉 ;
小野升太郎 ;
仲敏行 ;
谷内俊治 ;
渡边美穗 ;
山下浩明 .
中国专利 :CN102694029A ,2012-09-26
[6]
半导体元件 [P]. 
斋藤涉 .
中国专利 :CN102623493A ,2012-08-01
[7]
半导体元件 [P]. 
内田正雄 ;
堀川信之 ;
田中康太郎 ;
清泽努 .
中国专利 :CN103890953A ,2014-06-25
[8]
半导体元件 [P]. 
小笠原将明 ;
新井隆太 ;
细井重广 .
中国专利 :CN103367360A ,2013-10-23
[9]
半导体元件 [P]. 
斋藤涉 ;
小野升太郎 ;
仲敏行 ;
谷内俊治 ;
渡边美穗 ;
山下浩明 .
中国专利 :CN102623499A ,2012-08-01
[10]
电力半导体元件及其加工装置 [P]. 
郑镇荣 ;
高志亚 ;
柳和廷 ;
李宗宪 ;
金东植 ;
石松礼 .
中国专利 :CN117594646B ,2025-03-21