结电容参数测试电路及其测试方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810016800.0

申请日：

2018-01-08

公开(公告)号：

CN108333433A

公开(公告)日：

2018-07-27

发明(设计)人：

胡江耿霄雄龚飞佳钟锋浩

申请人：

申请人地址：

310000 浙江省杭州市滨江区江淑路799号第一、第二全楼层和第三、四、五层A单元

IPC主分类号：

G01R2726

IPC分类号：

代理机构：

杭州杭诚专利事务所有限公司 33109

代理人：

尉伟敏;阎忠华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 27/26 申请日:20180108
2020-05-05	授权	授权
2018-07-27	公开	公开

共 50 条

[1]

结电容参数测试电路、测试方法以及测试设备 [P].

耿霄雄 ;

钟锋浩 ;

胡江 .

中国专利 :CN114184925A ,2022-03-15

[2]

结电容参数测试电路、测试方法以及测试设备 [P].

耿霄雄 ;

钟锋浩 ;

胡江 .

中国专利 :CN114184925B ,2024-11-26

[3]

双极型晶体管结电容测试电路及测试方法 [P].

周天舒 .

中国专利 :CN101446606A ,2009-06-03

[4]

一种结电容测试装置 [P].

佘超群 ;

朱阳军 ;

陆江 ;

成星 ;

高振鹏 .

中国专利 :CN203084083U ,2013-07-24

[5]

结电容参数测量装置 [P].

孟龄昊 ;

单剑宏 ;

蒲仕豪 ;

李德涛 ;

陈聪聪 .

中国专利 :CN223711762U ,2025-12-23

[6]

时间参数测试电路 [P].

钟锋浩 .

中国专利 :CN105158671B ,2015-12-16

[7]

时间参数测试电路 [P].

钟锋浩 .

中国专利 :CN204925332U ,2015-12-30

[8]

芯片测试电路及其测试方法 [P].

蔡振龙 ;

基因·罗森塔尔 .

中国专利 :CN113533927A ,2021-10-22

[9]

微小电容测试电路及测试方法 [P].

胡晓明 ;

徐萍 .

中国专利 :CN101173967A ,2008-05-07

[10]

场效应晶体管结电容损耗测试电路 [P].

丁继 ;

唐开锋 .

中国专利 :CN215728594U ,2022-02-01

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