结电容参数测量装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202423171089.6

申请日：

2024-12-21

公开(公告)号：

CN223711762U

公开(公告)日：

2025-12-23

发明(设计)人：

孟龄昊单剑宏蒲仕豪李德涛陈聪聪

申请人：

杭州长川科技股份有限公司

申请人地址：

310056 浙江省杭州市滨江区聚才路410号

IPC主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

G01R27/26 G01R19/25 H02J7/00

代理机构：

上海港慧专利代理事务所(普通合伙) 31402

代理人：

刘明贵

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-23	授权	授权

共 50 条

[1]

结电容参数测试电路及其测试方法 [P].

胡江 ;

耿霄雄 ;

龚飞佳 ;

钟锋浩 .

中国专利 :CN108333433A ,2018-07-27

[2]

一种测量SiC器件结电容的装置 [P].

吕全亚 ;

郭建新 ;

钱永江 ;

李俊 ;

庄娟梅 .

中国专利 :CN115219796B ,2025-06-06

[3]

一种结电容测试装置 [P].

佘超群 ;

朱阳军 ;

陆江 ;

成星 ;

高振鹏 .

中国专利 :CN203084083U ,2013-07-24

[4]

结电容参数测试电路、测试方法以及测试设备 [P].

耿霄雄 ;

钟锋浩 ;

胡江 .

中国专利 :CN114184925A ,2022-03-15

[5]

一种光电二极管的结电容测量方法及结电容测量电路 [P].

靳晓丽 ;

程子立 ;

乔石 ;

卢华东 ;

苏静 .

中国专利 :CN118795227A ,2024-10-18

[6]

一种结电容测试系统 [P].

曹泽旷 ;

赵健程 ;

吴佩雯 ;

白洋 ;

霍昕垚 ;

罗明 ;

余波 ;

陈绅城 .

中国专利 :CN119959625A ,2025-05-09

[7]

结电容参数测试电路、测试方法以及测试设备 [P].

耿霄雄 ;

钟锋浩 ;

胡江 .

中国专利 :CN114184925B ,2024-11-26

[8]

一种光电二极管结电容测量装置及方法 [P].

王颖颖 ;

梁韬 ;

朱绍冲 ;

高晓文 ;

陈杏藩 ;

胡慧珠 .

中国专利 :CN114646813A ,2022-06-21

[9]

功率二极管模块结电容测量方法及装置 [P].

袁钊 ;

李学 ;

徐向宇 ;

曹沛 ;

蔡斌峰 ;

马亚坤 ;

张晨阳 .

中国专利 :CN117538714A ,2024-02-09

[10]

一种功率半导体器件结电容测试装置 [P].

陆江 ;

朱阳军 ;

苏江 .

中国专利 :CN202141762U ,2012-02-08

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