背封硅片的制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010716648.4
申请日
2020-07-23
公开(公告)号
CN111710596B
公开(公告)日
2020-09-25
发明(设计)人
张栋 郭振强
申请人
申请人地址
214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
IPC主分类号
H01L2102
IPC分类号
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
戴广志
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
硅片背封的制作方法 [P]. 
王柯 ;
程刘锁 ;
闫玉琴 ;
范晓 ;
王函 .
中国专利 :CN112670162A ,2021-04-16
[2]
CIS器件的制作方法 [P]. 
于明道 ;
王晨旭 ;
郑晓辉 ;
张栋 ;
范晓 ;
王函 .
中国专利 :CN118248701A ,2024-06-25
[3]
半导体器件的制作方法 [P]. 
李刚 .
中国专利 :CN113394160A ,2021-09-14
[4]
接触孔的制作方法和结构 [P]. 
陈曦 ;
黄景丰 ;
杨继业 .
中国专利 :CN113782491B ,2024-01-23
[5]
CIS器件像素区的制作方法 [P]. 
周旭 ;
郭振强 ;
滕赛楠 ;
吴天承 .
中国专利 :CN115513236A ,2022-12-23
[6]
接触孔的制作方法和结构 [P]. 
陈曦 ;
黄景丰 ;
杨继业 .
中国专利 :CN113782491A ,2021-12-10
[7]
金属互连结构的制作方法 [P]. 
李存宝 ;
孙少俊 ;
冯冰 ;
郭振强 .
中国专利 :CN117995768A ,2024-05-07
[8]
埋层对准标识及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P]. 
范晓 .
中国专利 :CN112908966A ,2021-06-04
[9]
闪存器件及其制作方法 [P]. 
杜怡行 ;
王壮壮 ;
王虎 ;
姚春 .
中国专利 :CN115411045A ,2022-11-29
[10]
SGT结构及其制作方法 [P]. 
陈正嵘 .
中国专利 :CN112802892A ,2021-05-14