SGT结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110011298.6

申请日：

2021-01-06

公开(公告)号：

CN112802892A

公开(公告)日：

2021-05-14

发明(设计)人：

陈正嵘

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2128 H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20210106
2021-05-14	公开	公开

共 50 条

[1]

用于改善晶圆翘曲的SGT器件及其制作方法 [P].

钱佳成 ;

刘秀勇 ;

陈正嵘 ;

陈广龙 ;

吴长明 .

中国专利 :CN112186041B ,2021-01-05

[2]

SGT器件及其制造方法 [P].

邱立军 ;

卫乐平 ;

吴珂 ;

万启航 ;

钱佳成 ;

刘秀勇 .

中国专利 :CN119133242A ,2024-12-13

[3]

埋层对准标识及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P].

范晓 .

中国专利 :CN112908966A ,2021-06-04

[4]

闪存器件及其制作方法 [P].

杜怡行 ;

王壮壮 ;

王虎 ;

姚春 .

中国专利 :CN115411045A ,2022-11-29

[5]

SGT结构及其制造方法 [P].

康志潇 ;

蔡晨 ;

李亮 .

中国专利 :CN113506822A ,2021-10-15

[6]

半导体基底结构及其制作方法 [P].

吕穿江 ;

王晓日 ;

朱晓斌 ;

王函 ;

张召 .

中国专利 :CN112397570A ,2021-02-23

[7]

埋层对准标记及其制作方法 [P].

范晓 .

中国专利 :CN112908916A ,2021-06-04

[8]

SGT器件制造方法 [P].

王丽 ;

刘秀勇 ;

卫乐平 ;

许晨强 ;

马栋 .

中国专利 :CN118280841A ,2024-07-02

[9]

SGT器件的制造方法 [P].

齐笑 ;

许铭源 ;

张蕾 ;

潘嘉 ;

杨继业 .

中国专利 :CN118471814A ,2024-08-09

[10]

防暗流CIS浅沟槽隔离结构及其制作方法 [P].

邱元元 ;

黄鹏 ;

郭振强 .

中国专利 :CN112349741A ,2021-02-09

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