埋层对准标记及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110074698.1

申请日：

2021-01-20

公开(公告)号：

CN112908916A

公开(公告)日：

2021-06-04

发明(设计)人：

范晓

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L2168

IPC分类号：

H01L23544

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/68 申请日:20210120
2021-06-04	公开	公开

共 50 条

[1]

埋层对准标识及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P].

范晓 .

中国专利 :CN112908966A ,2021-06-04

[2]

套刻对准标记及其制作方法 [P].

张峻豪 .

中国专利 :CN101593744B ,2009-12-02

[3]

SGT结构及其制作方法 [P].

陈正嵘 .

中国专利 :CN112802892A ,2021-05-14

[4]

零层对准标记及制作方法 [P].

肖德元 ;

刘永 .

中国专利 :CN101446768A ,2009-06-03

[5]

晶片对准标记选取方法 [P].

郭超 ;

费志平 ;

李玉华 ;

姜冒泉 ;

吴友根 ;

魏育航 .

中国专利 :CN115373233A ,2022-11-22

[6]

埋层引出结构制作方法和结构 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN115083995A ,2022-09-20

[7]

对准标记及其对准方法 [P].

舒强 .

中国专利 :CN104952851A ,2015-09-30

[8]

对准标记保护层的制作方法 [P].

王刚宁 ;

唐凌 ;

李远哲 ;

朱立平 ;

梁国亮 .

中国专利 :CN103065929A ,2013-04-24

[9]

闪存器件及其制作方法 [P].

杜怡行 ;

王壮壮 ;

王虎 ;

姚春 .

中国专利 :CN115411045A ,2022-11-29

[10]

化学机械抛光工艺后光刻对准标记的制作方法 [P].

李伟峰 ;

王雷 ;

王哲献 .

中国专利 :CN105529322A ,2016-04-27

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