套刻对准标记及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810113664.3

申请日：

2008-05-29

公开(公告)号：

CN101593744B

公开(公告)日：

2009-12-02

发明(设计)人：

张峻豪

申请人：

申请人地址：

100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L23544

IPC分类号：

H01L2100 G03F720 G03F900

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-02	公开	公开
2020-05-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/544 申请日:20080529 授权公告日:20110706 终止日期:20190529
2010-01-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-07-06	授权	授权

共 50 条

[1]

埋层对准标记及其制作方法 [P].

范晓 .

中国专利 :CN112908916A ,2021-06-04

[2]

套刻对准标记的形成方法 [P].

刘玄 ;

余啸 .

中国专利 :CN115206859B ,2025-09-16

[3]

零层对准标记及制作方法 [P].

肖德元 ;

刘永 .

中国专利 :CN101446768A ,2009-06-03

[4]

对准标记及其对准方法 [P].

舒强 .

中国专利 :CN104952851A ,2015-09-30

[5]

对准标记保护层的制作方法 [P].

王刚宁 ;

唐凌 ;

李远哲 ;

朱立平 ;

梁国亮 .

中国专利 :CN103065929A ,2013-04-24

[6]

套刻对准方法及套刻模板组件 [P].

惠利省 ;

杨国文 ;

白龙刚 .

中国专利 :CN115083982B ,2022-09-20

[7]

一种套刻对准标记及套刻偏移的测量方法 [P].

高钊 ;

林定群 ;

方震宇 .

中国专利 :CN119805874A ,2025-04-11

[8]

套刻标记及其形成方法 [P].

易洪深 ;

杨尊 .

中国专利 :CN114326325A ,2022-04-12

[9]

埋层对准标识及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P].

范晓 .

中国专利 :CN112908966A ,2021-06-04

[10]

一种套刻标记 [P].

吴杰 ;

邹建祥 ;

娄迪 .

中国专利 :CN114578662A ,2022-06-03

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