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套刻标记及其形成方法
被引:0
申请号
:
CN202111639652.6
申请日
:
2021-12-29
公开(公告)号
:
CN114326325A
公开(公告)日
:
2022-04-12
发明(设计)人
:
易洪深
杨尊
申请人
:
申请人地址
:
430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
IPC主分类号
:
G03F720
IPC分类号
:
代理机构
:
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294
代理人
:
陈丽丽
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-04-12
公开
公开
2022-04-29
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20211229
共 50 条
[1]
套刻对准标记的形成方法
[P].
刘玄
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
刘玄
;
余啸
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
余啸
.
中国专利
:CN115206859B
,2025-09-16
[2]
套准标记及其形成方法
[P].
邓国贵
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
邓国贵
.
中国专利
:CN110400789A
,2019-11-01
[3]
套刻标记及其可靠性验证方法
[P].
袁文旭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
袁文旭
;
方超
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
方超
;
唐呈前
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
唐呈前
;
李思晢
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李思晢
;
高志虎
论文数:
0
引用数:
0
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0
高志虎
;
冯耀斌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
冯耀斌
.
中国专利
:CN108417562A
,2018-08-17
[4]
套刻标记的形成方法及半导体结构
[P].
郭帅
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郭帅
.
中国专利
:CN113013076B
,2021-06-22
[5]
套刻误差标记图形及形成方法、测量方法
[P].
韦斌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
杭州积海半导体有限公司
杭州积海半导体有限公司
韦斌
;
张业利
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
杭州积海半导体有限公司
杭州积海半导体有限公司
张业利
.
中国专利
:CN119126511A
,2024-12-13
[6]
套刻误差标记图形及形成方法、测量方法
[P].
韦斌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
杭州积海半导体有限公司
杭州积海半导体有限公司
韦斌
;
张业利
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
杭州积海半导体有限公司
杭州积海半导体有限公司
张业利
.
中国专利
:CN119126511B
,2025-01-28
[7]
套刻误差量测标记结构及其制程方法和套刻误差量测方法
[P].
曾暐舜
论文数:
0
引用数:
0
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0
曾暐舜
;
陈庆煌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈庆煌
;
刘志成
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘志成
;
王见明
论文数:
0
引用数:
0
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0
王见明
.
中国专利
:CN112230514B
,2021-01-15
[8]
基于IDM套刻误差量测的对准标记结构及形成方法和工艺
[P].
南兑浩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
成都高真科技有限公司
成都高真科技有限公司
南兑浩
.
中国专利
:CN117518732A
,2024-02-06
[9]
套刻标记和套刻误差的测量方法
[P].
盛薄辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
盛薄辉
.
中国专利
:CN114864549A
,2022-08-05
[10]
套刻对准标记及其制作方法
[P].
张峻豪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张峻豪
.
中国专利
:CN101593744B
,2009-12-02
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