套刻标记及其形成方法

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申请号
CN202111639652.6
申请日
2021-12-29
公开(公告)号
CN114326325A
公开(公告)日
2022-04-12
发明(设计)人
易洪深 杨尊
申请人
申请人地址
430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
IPC主分类号
G03F720
IPC分类号
代理机构
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294
代理人
陈丽丽
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
套刻对准标记的形成方法 [P]. 
刘玄 ;
余啸 .
中国专利 :CN115206859B ,2025-09-16
[2]
套准标记及其形成方法 [P]. 
邓国贵 .
中国专利 :CN110400789A ,2019-11-01
[3]
套刻标记及其可靠性验证方法 [P]. 
袁文旭 ;
方超 ;
唐呈前 ;
李思晢 ;
高志虎 ;
冯耀斌 .
中国专利 :CN108417562A ,2018-08-17
[4]
套刻标记的形成方法及半导体结构 [P]. 
郭帅 .
中国专利 :CN113013076B ,2021-06-22
[5]
套刻误差标记图形及形成方法、测量方法 [P]. 
韦斌 ;
张业利 .
中国专利 :CN119126511A ,2024-12-13
[6]
套刻误差标记图形及形成方法、测量方法 [P]. 
韦斌 ;
张业利 .
中国专利 :CN119126511B ,2025-01-28
[7]
套刻误差量测标记结构及其制程方法和套刻误差量测方法 [P]. 
曾暐舜 ;
陈庆煌 ;
刘志成 ;
王见明 .
中国专利 :CN112230514B ,2021-01-15
[8]
基于IDM套刻误差量测的对准标记结构及形成方法和工艺 [P]. 
南兑浩 .
中国专利 :CN117518732A ,2024-02-06
[9]
套刻标记和套刻误差的测量方法 [P]. 
盛薄辉 .
中国专利 :CN114864549A ,2022-08-05
[10]
套刻对准标记及其制作方法 [P]. 
张峻豪 .
中国专利 :CN101593744B ,2009-12-02