晶片对准标记选取方法

被引：0

申请号：

CN202210935088.0

申请日：

2022-08-05

公开(公告)号：

CN115373233A

公开(公告)日：

2022-11-22

发明(设计)人：

郭超费志平李玉华姜冒泉吴友根魏育航

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

G03F900

IPC分类号：

H01L2168

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-22	公开	公开
2022-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 9/00 申请日:20220805

共 50 条

[1]

埋层对准标记及其制作方法 [P].

范晓 .

中国专利 :CN112908916A ,2021-06-04

[2]

晶片对准标记、系统及相关方法 [P].

N·A·米林 ;

R·登比 ;

R·T·豪斯利 ;

张晓松 ;

J·D·哈姆斯 ;

S·J·克拉梅尔 .

中国专利 :CN110880467A ,2020-03-13

[3]

半导体晶片的对准标记方法以及具有对准标记部分的半导体封装 [P].

R·T·豪斯利 ;

周建明 .

美国专利 :CN112514063B ,2024-04-09

[4]

半导体晶片的对准标记方法以及具有对准标记部分的半导体封装 [P].

R·T·豪斯利 ;

周建明 .

中国专利 :CN112514063A ,2021-03-16

[5]

晶片对准及叠对整合标记 [P].

邱垂福 .

中国专利 :CN101957566A ,2011-01-26

[6]

改善铝互连结构层间对准标记质量的方法 [P].

王柯 ;

程刘锁 ;

范晓 ;

王函 ;

陈广龙 .

中国专利 :CN112435960B ,2021-03-02

[7]

晶片去胶方法 [P].

张基智 ;

吴长明 ;

姚振海 ;

陈骆 ;

王绪根 ;

朱联合 .

中国专利 :CN113504714A ,2021-10-15

[8]

对准标记及其对准方法 [P].

舒强 .

中国专利 :CN104952851A ,2015-09-30

[9]

晶片刻蚀方法 [P].

季凡 ;

汪健 ;

王玉新 ;

丁佳 ;

赵雁雁 ;

郭海亮 ;

姚道州 .

中国专利 :CN117995673A ,2024-05-07

[10]

晶片自动定位装置及晶片自动定位方法 [P].

朱干慧 ;

苏亚青 ;

吕剑 .

中国专利 :CN114179002A ,2022-03-15

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