SGT结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110641275.3

申请日：

2021-06-09

公开(公告)号：

CN113506822A

公开(公告)日：

2021-10-15

发明(设计)人：

康志潇蔡晨李亮

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L29417 H01L2940

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20210609
2021-10-15	公开	公开

共 50 条

[1]

SGT器件及其制造方法 [P].

邱立军 ;

卫乐平 ;

吴珂 ;

万启航 ;

钱佳成 ;

刘秀勇 .

中国专利 :CN119133242A ,2024-12-13

[2]

SGT器件制造方法 [P].

王丽 ;

刘秀勇 ;

卫乐平 ;

许晨强 ;

马栋 .

中国专利 :CN118280841A ,2024-07-02

[3]

SGT器件的制造方法 [P].

齐笑 ;

许铭源 ;

张蕾 ;

潘嘉 ;

杨继业 .

中国专利 :CN118471814A ,2024-08-09

[4]

SGT MOS器件的制造方法 [P].

王丽 ;

刘秀勇 ;

马栋 ;

张继亮 .

中国专利 :CN118538673A ,2024-08-23

[5]

SGT结构及其制作方法 [P].

陈正嵘 .

中国专利 :CN112802892A ,2021-05-14

[6]

SGT器件及其制造方法 [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN109935517A ,2019-06-25

[7]

SGT耐压提升器件及其制造方法 [P].

许洁 ;

陈思彤 ;

卢烁今 ;

潘嘉 ;

杨继业 .

中国专利 :CN118098973A ,2024-05-28

[8]

SOI LDMOS与SGT集成器件的制造方法 [P].

张祥 ;

陈天 ;

陈华伦 ;

王黎 ;

肖莉 .

中国专利 :CN118888553A ,2024-11-01

[9]

ONO屏蔽栅的SGT结构及其制造方法 [P].

杨乐 ;

李铁生 ;

楼颖颖 ;

李恩求 ;

刘琦 .

中国专利 :CN112382572B ,2021-02-19

[10]

SGT器件的制造方法 [P].

赵鑫栋 ;

黄浩 ;

李奕薪 ;

潘嘉 ;

杨继业 .

中国专利 :CN120812970A ,2025-10-17

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