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ONO屏蔽栅的SGT结构及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110055819.8
申请日：
2021-01-15
公开(公告)号：
CN112382572B
公开(公告)日：
2021-02-19
发明(设计)人：
杨乐
李铁生
楼颖颖
李恩求
刘琦
申请人：
申请人地址：
710018 陕西省西安市未央区经济技术开发区凤城十二路1号出口加工区
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L2128
H01L29786
代理机构：
西安新思维专利商标事务所有限公司 61114
代理人：
李罡
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-02-19 | 公开 | 公开 |
| 2021-11-02 | 授权 | 授权 |
| 2022-05-10 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20220428 变更事项:专利权人 变更前权利人:龙腾半导体股份有限公司 变更后权利人:龙腾半导体股份有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:710018 陕西省西安市未央区经济技术开发区凤城十二路1号出口加工区 变更后权利人:710000 陕西省西安市经济技术开发区凤城十二路1号出口加工区 变更事项:专利权人 变更后权利人:西安龙翔半导体有限公司 旭矽半导体（上海）有限公司 |
| 2021-03-09 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20210115 |