一种高效率研磨抛光GaN晶片的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510182104.3

申请日：

2015-04-16

公开(公告)号：

CN106141900A

公开(公告)日：

2016-11-23

发明(设计)人：

刘南柳陈蛟张国义

申请人：

申请人地址：

523518 广东省东莞市企石镇科技工业园

IPC主分类号：

B24B3710

IPC分类号：

H01L21306 H01L3300

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-05	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B24B 37/10 申请公布日:20161123
2016-11-23	公开	公开
2016-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101692503066 IPC(主分类):B24B 37/10 专利申请号:2015101821043 申请日:20150416

共 50 条

[1]

一种高效率的金属研磨抛光的设备 [P].

李颂合 .

中国专利 :CN213615956U ,2021-07-06

[2]

一种双面抛光晶片的加工方法 [P].

林骞 ;

余雅俊 ;

占俊杰 ;

徐良 ;

刘建哲 .

中国专利 :CN115338694A ,2022-11-15

[3]

一种双面抛光晶片的加工方法 [P].

林骞 ;

余雅俊 ;

占俊杰 ;

徐良 ;

刘建哲 .

中国专利 :CN115338694B ,2024-02-02

[4]

一种蓝宝石晶片研磨抛光方法 [P].

姚健 .

中国专利 :CN110744362A ,2020-02-04

[5]

一种高效率的金属抛光液 [P].

戴巧子 .

中国专利 :CN105623525A ,2016-06-01

[6]

一种晶片的研磨抛光设备 [P].

邹维 .

中国专利 :CN216265296U ,2022-04-12

[7]

一种GaAs晶片的精密抛光方法 [P].

王乐军 ;

宋士佳 ;

李琳琳 ;

刘桂勇 ;

姜宏 ;

彭东阳 .

中国专利 :CN107953152A ,2018-04-24

[8]

YAG晶片的抛光方法 [P].

董志刚 .

中国专利 :CN112621557B ,2021-04-09

[9]

一种镜片高效率双面抛光机 [P].

蒋国恩 .

中国专利 :CN222038029U ,2024-11-22

[10]

一种砷化镓晶片的抛光方法 [P].

周铁军 ;

刘锋 ;

肖进龙 ;

刘留 .

中国专利 :CN105382676B ,2016-03-09

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