一种双面抛光晶片的加工方法

被引：0

申请号：

CN202210768342.2

申请日：

2022-07-01

公开(公告)号：

CN115338694A

公开(公告)日：

2022-11-15

发明(设计)人：

林骞余雅俊占俊杰徐良刘建哲

申请人：

申请人地址：

321000 浙江省金华市婺城区秋滨街道南二环西路2688号1#厂房1楼南侧

IPC主分类号：

B24B100

IPC分类号：

B24B722 B24B3710 B24B2902

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司 11619

代理人：

佟林松

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B24B 1/00 申请日:20220701
2022-11-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种双面抛光晶片的加工方法 [P].

林骞 ;

余雅俊 ;

占俊杰 ;

徐良 ;

刘建哲 .

中国专利 :CN115338694B ,2024-02-02

[2]

一种双面抛光蓝宝石晶片的加工方法 [P].

左洪波 ;

杨鑫宏 ;

张学军 ;

袁志勇 .

中国专利 :CN105313234B ,2016-02-10

[3]

一种SiC晶片的快速双面机械抛光方法 [P].

陈秀芳 ;

徐现刚 ;

杨祥龙 ;

彭燕 ;

胡小波 ;

王瑞琪 .

中国专利 :CN110614574A ,2019-12-27

[4]

一种双面抛光蓝宝石晶片的加工装置 [P].

左洪波 ;

杨鑫宏 ;

张学军 ;

袁志勇 .

中国专利 :CN205167277U ,2016-04-20

[5]

一种磷化镓晶片双面抛光方法 [P].

张晓 ;

李超 ;

杨剑 ;

李忠义 .

中国专利 :CN101130229A ,2008-02-27

[6]

一种碲锌镉晶片双面化学机械抛光方法 [P].

徐乐 ;

李振兴 ;

王琰璋 ;

岳晓辉 ;

刘江高 ;

侯晓敏 .

中国专利 :CN121191982A ,2025-12-23

[7]

一种半绝缘砷化镓晶片双面抛光方法 [P].

张晓 ;

郑安生 ;

龙彪 ;

夏海波 .

中国专利 :CN101399164A ,2009-04-01

[8]

用双面抛光加工半导体晶片的方法 [P].

G·D·张 ;

H·F·埃瑞克 ;

T·M·拉根 ;

J·A·卡恩斯 .

中国专利 :CN1446142A ,2003-10-01

[9]

硅晶片的双面抛光方法 [P].

谷本龙一 ;

山崎一郎 ;

御厨俊介 .

中国专利 :CN111095491A ,2020-05-01

[10]

一种蓝宝石双面抛光晶片的加工工艺 [P].

莫康 ;

郑贤良 ;

余学志 ;

沈祥海 .

中国专利 :CN115070976A ,2022-09-20

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