一种半绝缘砷化镓晶片双面抛光方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710122534.1

申请日：

2007-09-26

公开(公告)号：

CN101399164A

公开(公告)日：

2009-04-01

发明(设计)人：

张晓郑安生龙彪夏海波

申请人：

申请人地址：

100088北京市新街口外大街2号

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2130 H01L21304 H01L21306 B08B304 B08B308 B08B312 B24B100 C09G118

代理机构：

北京北新智诚知识产权代理有限公司

代理人：

郭佩兰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-04-01	公开	公开
2011-01-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101063084351 IPC(主分类):H01L 21/00 专利申请号:2007101225341 公开日:20090401

共 50 条

[1]

一种砷化镓晶片的抛光方法 [P].

周铁军 ;

刘锋 ;

肖进龙 ;

刘留 .

中国专利 :CN105382676B ,2016-03-09

[2]

一种锑化镓晶片双面抛光方法 [P].

李超 ;

林泉 ;

郑安生 ;

龙彪 ;

马锦伟 .

中国专利 :CN102554750A ,2012-07-11

[3]

一种砷化镓晶片及其制备方法 [P].

任殿胜 ;

朱颂义 ;

赵波 ;

王建利 ;

刘岩 ;

崔杨洲 ;

张春宇 .

中国专利 :CN111379027A ,2020-07-07

[4]

半绝缘双面抛光微波晶片 [P].

戚林 .

中国专利 :CN204946905U ,2016-01-06

[5]

半绝缘双面抛光微波晶片 [P].

戚林 .

中国专利 :CN105226084A ,2016-01-06

[6]

一种锑化镓单晶片的抛光方法 [P].

黄立 ;

严冰 ;

梁红昱 ;

张冰洁 ;

张传杰 ;

刘伟华 .

中国专利 :CN112077691B ,2020-12-15

[7]

一种磷化镓晶片双面抛光方法 [P].

张晓 ;

李超 ;

杨剑 ;

李忠义 .

中国专利 :CN101130229A ,2008-02-27

[8]

一种改善砷化镓晶片表面质量的方法 [P].

孙美玉 ;

吴春龙 ;

马金峰 ;

周铁军 .

中国专利 :CN121108884A ,2025-12-12

[9]

低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法 [P].

王顺金 ;

惠峰 ;

韩家贤 ;

刘汉保 ;

柳廷龙 ;

韦华 ;

普世坤 ;

赵兴凯 ;

何永彬 ;

唐康中 ;

吕春富 ;

鲁闻华 ;

黄平 ;

陈飞宏 ;

李国芳 .

中国专利 :CN113913939A ,2022-01-11

[10]

低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法 [P].

王顺金 ;

惠峰 ;

韩家贤 ;

刘汉保 ;

柳廷龙 ;

韦华 ;

普世坤 ;

赵兴凯 ;

何永彬 ;

唐康中 ;

吕春富 ;

鲁闻华 ;

黄平 ;

陈飞宏 ;

李国芳 .

中国专利 :CN113913939B ,2024-02-06

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