低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111065459.6

申请日：

2021-09-10

公开(公告)号：

CN113913939A

公开(公告)日：

2022-01-11

发明(设计)人：

王顺金惠峰韩家贤刘汉保柳廷龙韦华普世坤赵兴凯何永彬唐康中吕春富鲁闻华黄平陈飞宏李国芳

申请人：

申请人地址：

650000 云南省昆明市高新区电子工业标准厂房A栋1楼

IPC主分类号：

C30B2942

IPC分类号：

C30B1100 C30B3302

代理机构：

昆明祥和知识产权代理有限公司 53114

代理人：

和琳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-11	公开	公开
2022-01-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/42 申请日:20210910

共 50 条

[1]

低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法 [P].

王顺金 ;

惠峰 ;

韩家贤 ;

刘汉保 ;

柳廷龙 ;

韦华 ;

普世坤 ;

赵兴凯 ;

何永彬 ;

唐康中 ;

吕春富 ;

鲁闻华 ;

黄平 ;

陈飞宏 ;

李国芳 .

中国专利 :CN113913939B ,2024-02-06

[2]

一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法 [P].

周春锋 ;

兰天平 ;

边义午 ;

宋禹 ;

王东兴 .

中国专利 :CN110629289A ,2019-12-31

[3]

低腐蚀坑密度6英寸半绝缘砷化镓晶片 [P].

拉贾拉姆·谢蒂 ;

刘卫国 ;

杨盛世 .

中国专利 :CN111321456A ,2020-06-23

[4]

低腐蚀坑密度6英寸半绝缘砷化镓晶片 [P].

拉贾拉姆·谢蒂 ;

刘卫国 ;

杨盛世 .

美国专利 :CN111321456B ,2024-12-03

[5]

制造低腐蚀坑密度半绝缘砷化镓晶片的方法及其产品 [P].

W·刘 ;

M·S·扬 ;

M·H·巴达维 .

中国专利 :CN101307501B ,2008-11-19

[6]

生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 [P].

占荣 ;

惠峰 ;

赵有文 .

中国专利 :CN101603208A ,2009-12-16

[7]

一种半绝缘砷化镓晶片双面抛光方法 [P].

张晓 ;

郑安生 ;

龙彪 ;

夏海波 .

中国专利 :CN101399164A ,2009-04-01

[8]

一种砷化镓的制备方法 [P].

张浩 ;

易明辉 ;

张汪阳 .

中国专利 :CN117604632A ,2024-02-27

[9]

一种生长半绝缘砷化镓单晶的掺碳装置 [P].

雷仁贵 ;

于会永 ;

冯佳峰 ;

袁韶阳 ;

赵中阳 ;

张军军 ;

赵春锋 .

中国专利 :CN214529324U ,2021-10-29

[10]

一种砷化镓废料回收制备砷化镓多晶的方法 [P].

王金灵 ;

周铁军 ;

严卫东 ;

马金峰 .

中国专利 :CN111575788A ,2020-08-25

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