制造低腐蚀坑密度半绝缘砷化镓晶片的方法及其产品

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810000938.8

申请日：

2008-01-08

公开(公告)号：

CN101307501B

公开(公告)日：

2008-11-19

发明(设计)人：

W·刘 M·S·扬 M·H·巴达维

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C30B2942

IPC分类号：

C30B1100

代理机构：

北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280

代理人：

王勇

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-22	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101007841215 IPC(主分类):C30B 29/42 专利申请号:2008100009388 变更事项:申请人变更前权利人:AXT公司变更后权利人:AXT公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:美国加利福尼亚州变更事项:共同申请人变更前权利人:无变更后权利人:北京通美晶体技术有限公司登记生效日:20100812
2008-11-19	公开	公开
2012-12-26	授权	授权
2021-07-30	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C30B 29/42 变更事项:专利权人变更前:AXT公司变更后:AXT公司变更事项:地址变更前:美国加利福尼亚州变更后:美国加利福尼亚州变更事项:专利权人变更前:北京通美晶体技术有限公司变更后:北京通美晶体技术股份有限公司
2009-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

低腐蚀坑密度6英寸半绝缘砷化镓晶片 [P].

拉贾拉姆·谢蒂 ;

刘卫国 ;

杨盛世 .

美国专利 :CN111321456B ,2024-12-03

[2]

低腐蚀坑密度6英寸半绝缘砷化镓晶片 [P].

拉贾拉姆·谢蒂 ;

刘卫国 ;

杨盛世 .

中国专利 :CN111321456A ,2020-06-23

[3]

低腐蚀坑密度（EPD）半绝缘Ⅲ-Ⅴ晶片 [P].

刘卫国 ;

M·S·扬 ;

M·H·巴达维 .

中国专利 :CN101688323A ,2010-03-31

[4]

低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法 [P].

王顺金 ;

惠峰 ;

韩家贤 ;

刘汉保 ;

柳廷龙 ;

韦华 ;

普世坤 ;

赵兴凯 ;

何永彬 ;

唐康中 ;

吕春富 ;

鲁闻华 ;

黄平 ;

陈飞宏 ;

李国芳 .

中国专利 :CN113913939A ,2022-01-11

[5]

低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法 [P].

王顺金 ;

惠峰 ;

韩家贤 ;

刘汉保 ;

柳廷龙 ;

韦华 ;

普世坤 ;

赵兴凯 ;

何永彬 ;

唐康中 ;

吕春富 ;

鲁闻华 ;

黄平 ;

陈飞宏 ;

李国芳 .

中国专利 :CN113913939B ,2024-02-06

[6]

含硼掺杂剂的低腐蚀坑密度砷化镓晶体 [P].

拉贾拉姆·谢蒂 ;

刘卫国 ;

杨盛世 .

美国专利 :CN111321470B ,2025-04-11

[7]

含硼掺杂剂的低腐蚀坑密度砷化镓晶体 [P].

拉贾拉姆·谢蒂 ;

刘卫国 ;

杨盛世 .

中国专利 :CN111321470A ,2020-06-23

[8]

一种半绝缘砷化镓晶片双面抛光方法 [P].

张晓 ;

郑安生 ;

龙彪 ;

夏海波 .

中国专利 :CN101399164A ,2009-04-01

[9]

生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 [P].

占荣 ;

惠峰 ;

赵有文 .

中国专利 :CN101603208A ,2009-12-16

[10]

半绝缘性砷化镓单晶基板、带外延层基板以及半绝缘性砷化镓单晶的制造方法 [P].

青山浩一郎 ;

桥尾克司 ;

森分达也 ;

森下昌纪 .

日本专利 :CN120569522A ,2025-08-29

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