含硼掺杂剂的低腐蚀坑密度砷化镓晶体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911286027.0

申请日：

2019-12-13

公开(公告)号：

CN111321470B

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

拉贾拉姆·谢蒂刘卫国杨盛世

申请人：

AXT公司北京通美晶体技术股份有限公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C30B29/42

IPC分类号：

C30B11/02

代理机构：

北京北翔知识产权代理有限公司 11285

代理人：

杨月;王媛

法律状态：

授权

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-11	授权	授权

共 50 条

[1]

含硼掺杂剂的低腐蚀坑密度砷化镓晶体 [P].

拉贾拉姆·谢蒂 ;

刘卫国 ;

杨盛世 .

中国专利 :CN111321470A ,2020-06-23

[2]

低腐蚀坑密度6英寸半绝缘砷化镓晶片 [P].

拉贾拉姆·谢蒂 ;

刘卫国 ;

杨盛世 .

美国专利 :CN111321456B ,2024-12-03

[3]

低腐蚀坑密度6英寸半绝缘砷化镓晶片 [P].

拉贾拉姆·谢蒂 ;

刘卫国 ;

杨盛世 .

中国专利 :CN111321456A ,2020-06-23

[4]

制造低腐蚀坑密度半绝缘砷化镓晶片的方法及其产品 [P].

W·刘 ;

M·S·扬 ;

M·H·巴达维 .

中国专利 :CN101307501B ,2008-11-19

[5]

硼酸酯、含硼掺杂剂和制造含硼掺杂剂的方法 [P].

R.A.斯皮尔 ;

E.W.小拉特 ;

L.M.梅丁 ;

H.X.徐 .

中国专利 :CN103748101B ,2014-04-23

[6]

VGF工艺制备砷化镓晶体的方法 [P].

马金峰 ;

周铁军 .

中国专利 :CN111962139A ,2020-11-20

[7]

一种砷化镓单晶位错坑的腐蚀方法及腐蚀液配方 [P].

刘国军 ;

肖亚东 ;

段静芳 ;

谈笑天 .

中国专利 :CN109023531A ,2018-12-18

[8]

一种砷化镓晶体的退火方法及得到的砷化镓晶片 [P].

朱铁军 ;

谈笑天 ;

肖亚东 .

中国专利 :CN109112637A ,2019-01-01

[9]

对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 [P].

黄应龙 ;

杨富华 ;

王良臣 ;

姜磊 ;

白云霞 ;

王莉 .

中国专利 :CN1796604A ,2006-07-05

[10]

一种碳掺杂砷化镓多晶及其制备方法、制备碳掺杂砷化镓多晶的设备 [P].

王金灵 ;

罗小龙 ;

易明辉 .

中国专利 :CN118979306A ,2024-11-19

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