低腐蚀坑密度6英寸半绝缘砷化镓晶片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911284634.3

申请日：

2019-12-13

公开(公告)号：

CN111321456A

公开(公告)日：

2020-06-23

发明(设计)人：

拉贾拉姆·谢蒂刘卫国杨盛世

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C30B1100

IPC分类号：

C30B2942 H01L2118

代理机构：

北京北翔知识产权代理有限公司 11285

代理人：

刘文静;王媛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-23	公开	公开
2021-12-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 11/00 申请日:20191213
2021-11-19	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C30B 11/00 登记生效日:20211108 变更事项:申请人变更前权利人:AXT公司变更后权利人:AXT公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:美国加利福尼亚州变更事项:申请人变更后权利人:北京通美晶体技术股份有限公司

共 42 条

[1]

低腐蚀坑密度6英寸半绝缘砷化镓晶片 [P].

拉贾拉姆·谢蒂 ;

刘卫国 ;

杨盛世 .

美国专利 :CN111321456B ,2024-12-03

[2]

制造低腐蚀坑密度半绝缘砷化镓晶片的方法及其产品 [P].

W·刘 ;

M·S·扬 ;

M·H·巴达维 .

中国专利 :CN101307501B ,2008-11-19

[3]

低腐蚀坑密度（EPD）半绝缘Ⅲ-Ⅴ晶片 [P].

刘卫国 ;

M·S·扬 ;

M·H·巴达维 .

中国专利 :CN101688323A ,2010-03-31

[4]

含硼掺杂剂的低腐蚀坑密度砷化镓晶体 [P].

拉贾拉姆·谢蒂 ;

刘卫国 ;

杨盛世 .

美国专利 :CN111321470B ,2025-04-11

[5]

含硼掺杂剂的低腐蚀坑密度砷化镓晶体 [P].

拉贾拉姆·谢蒂 ;

刘卫国 ;

杨盛世 .

中国专利 :CN111321470A ,2020-06-23

[6]

6英寸半绝缘砷化镓中EL2浓度的测量方法 [P].

何秀坤 ;

汝琼娜 ;

李静 .

中国专利 :CN1769869A ,2006-05-10

[7]

低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法 [P].

王顺金 ;

惠峰 ;

韩家贤 ;

刘汉保 ;

柳廷龙 ;

韦华 ;

普世坤 ;

赵兴凯 ;

何永彬 ;

唐康中 ;

吕春富 ;

鲁闻华 ;

黄平 ;

陈飞宏 ;

李国芳 .

中国专利 :CN113913939A ,2022-01-11

[8]

低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法 [P].

王顺金 ;

惠峰 ;

韩家贤 ;

刘汉保 ;

柳廷龙 ;

韦华 ;

普世坤 ;

赵兴凯 ;

何永彬 ;

唐康中 ;

吕春富 ;

鲁闻华 ;

黄平 ;

陈飞宏 ;

李国芳 .

中国专利 :CN113913939B ,2024-02-06

[9]

一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法 [P].

周春锋 ;

兰天平 ;

边义午 ;

宋禹 ;

王东兴 .

中国专利 :CN110629289A ,2019-12-31

[10]

一种半绝缘砷化镓晶片双面抛光方法 [P].

张晓 ;

郑安生 ;

龙彪 ;

夏海波 .

中国专利 :CN101399164A ,2009-04-01

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