一种二极管芯片结构及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110619706.6

申请日：

2021-06-03

公开(公告)号：

CN113224175A

公开(公告)日：

2021-08-06

发明(设计)人：

贺晓金袁强陆超姚秋原孟繁新王博洪杜桥

申请人：

申请人地址：

550018 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段270号

IPC主分类号：

H01L29861

IPC分类号：

H01L2906 H01L21329

代理机构：

贵州派腾知识产权代理有限公司 52114

代理人：

谷庆红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/861 申请日:20210603
2021-08-06	公开	公开

共 50 条

[1]

一种二极管芯片结构 [P].

贺晓金 ;

袁强 ;

陆超 ;

姚秋原 ;

孟繁新 ;

王博 ;

洪杜桥 .

中国专利 :CN214588868U ,2021-11-02

[2]

一种二极管芯片及二极管芯片的制备方法 [P].

刘英策 ;

蔡和勋 ;

李俊贤 ;

刘伟 ;

魏振东 .

中国专利 :CN110165032A ,2019-08-23

[3]

一种碳化硅二极管芯片结构 [P].

王海锐 ;

陆超 ;

程爽 ;

袁强 ;

王博 ;

吴登昊 ;

王智 ;

张浩宇 ;

贺晓金 ;

姚秋原 .

中国专利 :CN222706889U ,2025-04-01

[4]

半导体台面二极管芯片 [P].

魏兴政 ;

李浩 .

中国专利 :CN211578763U ,2020-09-25

[5]

一种二极管芯片用开槽方法及二极管芯片 [P].

王坚红 ;

徐明成 ;

陈锋 ;

黄国军 ;

王锋 .

中国专利 :CN110517956B ,2019-11-29

[6]

发光二极管芯片制备方法及发光二极管芯片 [P].

张圣君 ;

胡根水 ;

孙虎 ;

李俊生 .

中国专利 :CN112820808A ,2021-05-18

[7]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

兰叶 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN112054104A ,2020-12-08

[8]

二极管芯片 [P].

汪良恩 ;

裘立强 ;

魏兴政 .

中国专利 :CN201708159U ,2011-01-12

[9]

二极管芯片 [P].

袁强 ;

古进 ;

王博 ;

贺晓金 ;

陆超 ;

姚秋原 .

中国专利 :CN214477478U ,2021-10-22

[10]

二极管芯片 [P].

渡边敬吏 ;

山上顺也 .

中国专利 :CN112582482A ,2021-03-30

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