一种碳化硅二极管芯片结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202420912494.X

申请日：

2024-04-29

公开(公告)号：

CN222706889U

公开(公告)日：

2025-04-01

发明(设计)人：

王海锐陆超程爽袁强王博吴登昊王智张浩宇贺晓金姚秋原

申请人：

中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）

申请人地址：

550018 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段270号

IPC主分类号：

H10D8/00

IPC分类号：

H01L23/31 H10D8/01 H10D62/10

代理机构：

贵阳中工知识产权代理事务所 52106

代理人：

杨成刚

法律状态：

授权

国省代码：

贵州省贵阳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-01	授权	授权

共 50 条

[1]

一种碳化硅二极管芯片结构及其制作方法 [P].

王海锐 ;

陆超 ;

程爽 ;

袁强 ;

王博 ;

吴登昊 ;

王智 ;

张浩宇 ;

贺晓金 ;

姚秋原 .

中国专利 :CN118231480A ,2024-06-21

[2]

碳化硅二极管 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN216597592U ,2022-05-24

[3]

碳化硅二极管芯片内专用保护电路 [P].

吕全亚 ;

周琦 ;

庄娟梅 ;

郭建新 ;

刘域庭 ;

陈莉娜 .

中国专利 :CN111404133A ,2020-07-10

[4]

一种低成本碳化硅肖特基二极管芯片 [P].

李东华 ;

杨晓亮 ;

宋迎新 ;

单维刚 .

中国专利 :CN208706656U ,2019-04-05

[5]

一种二极管芯片结构 [P].

贺晓金 ;

袁强 ;

陆超 ;

姚秋原 ;

孟繁新 ;

王博 ;

洪杜桥 .

中国专利 :CN214588868U ,2021-11-02

[6]

碳化硅二极管结构 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN215731735U ,2022-02-01

[7]

一种结温250℃的碳化硅二极管芯片绝缘保护方法 [P].

周毅 ;

王宏涛 ;

张斌社 .

中国专利 :CN110289220A ,2019-09-27

[8]

碳化硅肖特基二极管 [P].

刘圣前 ;

杨程 ;

王毅 .

中国专利 :CN217214727U ,2022-08-16

[9]

二极管芯片 [P].

汪良恩 ;

裘立强 ;

魏兴政 .

中国专利 :CN201708159U ,2011-01-12

[10]

一种大电流低漏电碳化硅二极管芯片及其制作方法 [P].

田李庄 .

中国专利 :CN112151621A ,2020-12-29

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