一种结温250℃的碳化硅二极管芯片绝缘保护方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910607380.8

申请日：

2019-07-07

公开(公告)号：

CN110289220A

公开(公告)日：

2019-09-27

发明(设计)人：

周毅王宏涛张斌社

申请人：

申请人地址：

713107 陕西省咸阳市兴平市西城区45号信箱

IPC主分类号：

H01L2156

IPC分类号：

H01L2329 H01L2331

代理机构：

西北工业大学专利中心 61204

代理人：

陈星

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-27	公开	公开
2019-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/56 申请日:20190707
2022-08-19	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/56 申请公布日:20190927

共 50 条

[1]

一种碳化硅二极管芯片结构 [P].

王海锐 ;

陆超 ;

程爽 ;

袁强 ;

王博 ;

吴登昊 ;

王智 ;

张浩宇 ;

贺晓金 ;

姚秋原 .

中国专利 :CN222706889U ,2025-04-01

[2]

碳化硅二极管芯片内专用保护电路 [P].

吕全亚 ;

周琦 ;

庄娟梅 ;

郭建新 ;

刘域庭 ;

陈莉娜 .

中国专利 :CN111404133A ,2020-07-10

[3]

一种碳化硅二极管芯片结构及其制作方法 [P].

王海锐 ;

陆超 ;

程爽 ;

袁强 ;

王博 ;

吴登昊 ;

王智 ;

张浩宇 ;

贺晓金 ;

姚秋原 .

中国专利 :CN118231480A ,2024-06-21

[4]

碳化硅二极管 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN216597592U ,2022-05-24

[5]

一种低成本碳化硅肖特基二极管芯片 [P].

李东华 ;

杨晓亮 ;

宋迎新 ;

单维刚 .

中国专利 :CN208706656U ,2019-04-05

[6]

一种大电流低漏电碳化硅二极管芯片及其制作方法 [P].

田李庄 .

中国专利 :CN112151621A ,2020-12-29

[7]

一种碳化硅二极管及碳化硅二极管的制备方法 [P].

彭华溢 ;

谢梓翔 ;

廖勇波 ;

李春艳 ;

马颖江 .

中国专利 :CN119486220A ,2025-02-18

[8]

一种低成本碳化硅肖特基二极管芯片及其制备方法 [P].

李东华 ;

杨晓亮 ;

宋迎新 ;

单维刚 .

中国专利 :CN109004023A ,2018-12-14

[9]

碳化硅二极管及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN114068679B ,2025-02-07

[10]

碳化硅二极管及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN114068679A ,2022-02-18

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