高介电常数微波介质陶瓷

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97118315.5

申请日：

1997-09-12

公开(公告)号：

CN1067360C

公开(公告)日：

1999-03-24

发明(设计)人：

陈湘明杨敬思

申请人：

申请人地址：

310027浙江省杭州市玉古路20号

IPC主分类号：

C04B3546

IPC分类号：

C04B35495 H01B312

代理机构：

浙江大学专利代理事务所

代理人：

韩介梅

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1998-03-11	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2007-11-21	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止
1999-03-24	公开	公开
2001-06-20	授权	授权

共 50 条

[41]

一种高介电常数低损耗微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

傅邱云 ;

王耿 ;

周东祥 ;

郑志平 ;

罗为 .

中国专利 :CN108264348A ,2018-07-10

[42]

高介电常数陶瓷及其制备方法 [P].

方亮 ;

张辉 ;

洪学鹍 ;

孟范成 ;

杨俊峰 ;

袁润章 ;

刘韩星 ;

赵素玲 .

中国专利 :CN1438199A ,2003-08-27

[43]

中介电常数叠层微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

李雷 ;

陈湘明 .

中国专利 :CN100373505C ,2006-10-18

[44]

一种低介电常数的微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

杨志峰 ;

王士维 ;

王根水 ;

周志勇 ;

刘少华 ;

陈春华 .

中国专利 :CN103864414A ,2014-06-18

[45]

一种中介电常数的微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

高峰 ;

张大帅 ;

王利 ;

史芳军 ;

宋皓宇 ;

崔栋 ;

袁姣 .

中国专利 :CN105601271B ,2016-05-25

[46]

一种中介电常数复合微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

张启龙 ;

王浩 ;

杨辉 .

中国专利 :CN109734439A ,2019-05-10

[47]

温度稳定型高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

李玲霞 ;

王旭彬 ;

王顺 ;

罗伟嘉 .

中国专利 :CN113773070A ,2021-12-10

[48]

一种高介电常数的微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

何磊 ;

龚毅辉 ;

徐海维 .

中国专利 :CN110723968A ,2020-01-24

[49]

低介电常数高品质因子镓酸盐微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

杨利 ;

杨小燕 ;

匡小军 .

中国专利 :CN113651599A ,2021-11-16

[50]

一种具有低介电常数的钙钴硅微波介质陶瓷 [P].

肖谧 ;

韦艳双 ;

娄捷 .

中国专利 :CN108911728A ,2018-11-30

← 1 2 3 4 5 →