高介电常数微波介质陶瓷

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97118315.5

申请日：

1997-09-12

公开(公告)号：

CN1067360C

公开(公告)日：

1999-03-24

发明(设计)人：

陈湘明杨敬思

申请人：

申请人地址：

310027浙江省杭州市玉古路20号

IPC主分类号：

C04B3546

IPC分类号：

C04B35495 H01B312

代理机构：

浙江大学专利代理事务所

代理人：

韩介梅

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1998-03-11	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2007-11-21	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止
1999-03-24	公开	公开
2001-06-20	授权	授权

共 50 条

[1]

高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

陈湘明 ;

徐峥谊 ;

杨敬思 .

中国专利 :CN1063733C ,1999-10-27

[2]

高介电常数微波介质陶瓷 [P].

陈湘明 ;

秦霓 .

中国专利 :CN1415580A ,2003-05-07

[3]

高介电常数低损耗微波介质陶瓷 [P].

郑兴华 .

中国专利 :CN1648101A ,2005-08-03

[4]

低介电常数微波介质陶瓷 [P].

陈湘明 ;

易磊 .

中国专利 :CN102020456A ,2011-04-20

[5]

高介电常数微波介质陶瓷材料 [P].

艾瑞克·P·K ;

吕文中 ;

汪小红 .

中国专利 :CN1673179A ,2005-09-28

[6]

一种高介电常数微波介质陶瓷 [P].

陈湘明 ;

胡星 .

中国专利 :CN1477079A ,2004-02-25

[7]

高介电常数低损耗微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

岳振星 ;

马志宇 ;

郭蔚嘉 ;

骆宇 ;

陈雨谷 .

中国专利 :CN113666737A ,2021-11-19

[8]

一种低介电常数微波介质陶瓷 [P].

陈湘明 ;

郑昌伟 .

中国专利 :CN1830889A ,2006-09-13

[9]

低温烧结的高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

张为军 ;

白书欣 ;

堵永国 ;

刘卓峰 ;

陈兴宇 .

中国专利 :CN103467083A ,2013-12-25

[10]

一种中介电常数微波介质陶瓷 [P].

陈湘明 ;

丁艺含 .

中国专利 :CN113563072B ,2021-10-29

← 1 2 3 4 5 →