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半导体工艺腔室

被引：0
申请号：
CN202222001734.4
申请日：
2022-07-26
公开(公告)号：
CN217895796U
公开(公告)日：
2022-11-25
发明(设计)人：
胡启超
申请人：
申请人地址：
100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号：
C30B2510
IPC分类号：
C30B2512 C30B2906 H01L2167
代理机构：
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人：
彭瑞欣;王婷
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-11-25 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体工艺腔室 [P]. 
杨松 .
中国专利 :CN222349104U ,2025-01-14
[2]
半导体工艺腔室 [P]. 
陈二庆 .
中国专利 :CN218004817U ,2022-12-09
[3]
半导体工艺腔室 [P]. 
周志文 .
中国专利 :CN217214636U ,2022-08-16
[4]
半导体工艺腔室 [P]. 
王礼 ;
袁志涛 .
中国专利 :CN218004772U ,2022-12-09
[5]
半导体工艺腔室 [P]. 
李进 .
中国专利 :CN113707523B ,2024-03-26
[6]
半导体工艺腔室 [P]. 
李进 .
中国专利 :CN113707523A ,2021-11-26
[7]
半导体工艺腔室 [P]. 
赵立仕 ;
李浩东 ;
邓斌 .
中国专利 :CN120727602A ,2025-09-30
[8]
半导体工艺腔室 [P]. 
祖梦硕 .
中国专利 :CN118326371A ,2024-07-12
[9]
半导体工艺腔室 [P]. 
王洪彪 ;
兰云峰 ;
王勇飞 .
中国专利 :CN114196942A ,2022-03-18
[10]
半导体工艺腔室 [P]. 
王岩 ;
王伟 .
中国专利 :CN120020995A ,2025-05-20
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