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半导体工艺腔室

被引：0
申请号：
CN202220703363.1
申请日：
2022-03-29
公开(公告)号：
CN217214636U
公开(公告)日：
2022-08-16
发明(设计)人：
周志文
申请人：
申请人地址：
100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号：
H01L21205
IPC分类号：
H01L2167
代理机构：
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人：
彭瑞欣;王婷
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-08-16 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体工艺腔室 [P]. 
王洪彪 ;
兰云峰 ;
王勇飞 .
中国专利 :CN114196942A ,2022-03-18
[2]
半导体工艺腔室 [P]. 
杨松 .
中国专利 :CN222349104U ,2025-01-14
[3]
半导体工艺腔室 [P]. 
陈二庆 .
中国专利 :CN218004817U ,2022-12-09
[4]
半导体工艺腔室 [P]. 
胡启超 .
中国专利 :CN217895796U ,2022-11-25
[5]
半导体工艺腔室 [P]. 
王礼 ;
袁志涛 .
中国专利 :CN218004772U ,2022-12-09
[6]
半导体工艺反应腔室 [P]. 
王伟 .
中国专利 :CN111276384B ,2020-06-12
[7]
半导体工艺腔室 [P]. 
李进 .
中国专利 :CN113707523B ,2024-03-26
[8]
半导体工艺腔室 [P]. 
李进 .
中国专利 :CN113707523A ,2021-11-26
[9]
半导体工艺腔室 [P]. 
赵立仕 ;
李浩东 ;
邓斌 .
中国专利 :CN120727602A ,2025-09-30
[10]
半导体工艺腔室 [P]. 
祖梦硕 .
中国专利 :CN118326371A ,2024-07-12
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