双镶嵌结构及其形成方法、半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110109631.3

申请日：

2011-04-28

公开(公告)号：

CN102760688A

公开(公告)日：

2012-10-31

发明(设计)人：

张海洋周俊卿

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23522 H01L23528

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-10-31	公开	公开
2014-12-24	授权	授权
2012-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101370320911 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2011101096313 申请日:20110428

共 50 条

[1]

具有双镶嵌结构的半导体器件及其形成方法 [P].

孙武 ;

沈满华 ;

王新鹏 .

中国专利 :CN101740475B ,2010-06-16

[2]

半导体器件、半导体结构及其形成方法 [P].

卢炜业 ;

欧阳良岳 ;

黄鸿仪 ;

简瑞宏 ;

林俊杰 .

中国专利 :CN118712134A ,2024-09-27

[3]

半导体结构及其形成方法、半导体器件 [P].

张海洋 ;

蒋鑫 .

中国专利 :CN111627977A ,2020-09-04

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

苏焕杰 ;

庄正吉 ;

王志豪 ;

谌俊元 ;

王圣璁 ;

饶孟桓 .

中国专利 :CN118412280A ,2024-07-30

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103137545A ,2013-06-05

[6]

器件结构、半导体器件及其形成方法 [P].

吕俊颉 ;

施昱全 ;

林佑明 .

中国专利 :CN119967855A ,2025-05-09

[7]

半导体结构及其形成方法和半导体器件 [P].

张志伟 .

中国专利 :CN113539944A ,2021-10-22

[8]

半导体器件及其形成方法和半导体结构 [P].

陈亮 .

中国专利 :CN109786383A ,2019-05-21

[9]

半导体结构的形成方法、半导体功率器件及其形成方法 [P].

晋虎 ;

万欣 .

中国专利 :CN120813026A ,2025-10-17

[10]

半导体结构及其形成方法，半导体器件及其形成方法 [P].

张全良 ;

刘丽丽 .

中国专利 :CN114068708A ,2022-02-18

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