半导体器件及其形成方法和半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711114127.6

申请日：

2017-11-13

公开(公告)号：

CN109786383A

公开(公告)日：

2019-05-21

发明(设计)人：

陈亮

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2711521

IPC分类号：

代理机构：

上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327

代理人：

高静;李丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11521 申请日:20171113
2019-05-21	公开	公开
2021-12-10	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法、半导体器件 [P].

张海洋 ;

蒋鑫 .

中国专利 :CN111627977A ,2020-09-04

[2]

半导体结构及其形成方法和半导体器件 [P].

张志伟 .

中国专利 :CN113539944A ,2021-10-22

[3]

半导体器件及其形成方法和半导体结构 [P].

张焕云 ;

吴健 .

中国专利 :CN110364570A ,2019-10-22

[4]

半导体结构和半导体器件及其形成方法 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN120998887A ,2025-11-21

[5]

半导体结构及其形成方法和半导体器件 [P].

柴高达 ;

田旭 ;

丁元灿 ;

王新炜 .

中国专利 :CN120834121A ,2025-10-24

[6]

半导体器件及其形成方法、半导体结构 [P].

李庆 .

中国专利 :CN110828665A ,2020-02-21

[7]

半导体器件、半导体结构及其形成方法 [P].

卢炜业 ;

欧阳良岳 ;

黄鸿仪 ;

简瑞宏 ;

林俊杰 .

中国专利 :CN118712134A ,2024-09-27

[8]

半导体结构、半导体器件及其形成方法 [P].

翁圣勋 ;

张世杰 .

中国专利 :CN119789476A ,2025-04-08

[9]

半导体结构、半导体器件及其形成方法 [P].

张廷祥 ;

柯忠廷 ;

廖书翎 ;

林育如 ;

林颂恩 ;

黄泰钧 ;

李资良 .

中国专利 :CN120302696A ,2025-07-11

[10]

半导体结构及其形成方法、半导体器件 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN113013323A ,2021-06-22

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