半导体结构及其形成方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410458114.4

申请日：

2024-04-16

公开(公告)号：

CN120834121A

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

柴高达田旭丁元灿王新炜

申请人：

华为技术有限公司北京大学深圳研究生院

申请人地址：

518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

IPC主分类号：

H01L23/522

IPC分类号：

H01L23/532 H01L21/768

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

陈聪

法律状态：

公开

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法和半导体器件 [P].

张志伟 .

中国专利 :CN113539944A ,2021-10-22

[2]

半导体器件及其形成方法和半导体结构 [P].

张焕云 ;

吴健 .

中国专利 :CN110364570A ,2019-10-22

[3]

半导体结构和半导体器件及其形成方法 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN120998887A ,2025-11-21

[4]

半导体器件及其形成方法和半导体结构 [P].

陈亮 .

中国专利 :CN109786383A ,2019-05-21

[5]

半导体器件及其形成方法、半导体结构 [P].

李庆 .

中国专利 :CN110828665A ,2020-02-21

[6]

半导体器件、半导体结构及其形成方法 [P].

卢炜业 ;

欧阳良岳 ;

黄鸿仪 ;

简瑞宏 ;

林俊杰 .

中国专利 :CN118712134A ,2024-09-27

[7]

半导体结构、半导体器件及其形成方法 [P].

翁圣勋 ;

张世杰 .

中国专利 :CN119789476A ,2025-04-08

[8]

半导体结构及其形成方法、半导体器件 [P].

张海洋 ;

蒋鑫 .

中国专利 :CN111627977A ,2020-09-04

[9]

半导体结构、半导体器件及其形成方法 [P].

张廷祥 ;

柯忠廷 ;

廖书翎 ;

林育如 ;

林颂恩 ;

黄泰钧 ;

李资良 .

中国专利 :CN120302696A ,2025-07-11

[10]

半导体结构及其形成方法、半导体器件 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN113013323A ,2021-06-22

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