一种高精度γ射线传感器的硅芯片工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011631036.1

申请日：

2020-12-30

公开(公告)号：

CN112786733A

公开(公告)日：

2021-05-11

发明(设计)人：

何少伟马敏辉宋召海

申请人：

申请人地址：

100744 北京市大兴区经济技术开发区地盛西路6号院3号楼3层302-2

IPC主分类号：

H01L31119

IPC分类号：

H01L310312 H01L3118

代理机构：

北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717

代理人：

张宇锋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/119 申请日:20201230
2021-05-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高精度压力传感器的硅芯片工艺方法 [P].

赵文彬 ;

吴洪强 ;

夏斯俊 ;

黄杰俊 .

中国专利 :CN118443187A ,2024-08-06

[2]

一种高精度压力传感器的硅芯片工艺方法 [P].

何少伟 ;

马敏辉 ;

宋召海 .

中国专利 :CN112834083A ,2021-05-25

[3]

一种芯片工艺制造方法及光敏传感器芯片 [P].

陈立 ;

樊子宇 ;

迟勇 .

中国专利 :CN108695397A ,2018-10-23

[4]

高精度硅传感器芯片腐蚀装置 [P].

刘沁 ;

匡石 ;

张纯棣 ;

陈信琦 .

中国专利 :CN1601708A ,2005-03-30

[5]

一种高精度单晶硅传感器 [P].

黄付冲 .

中国专利 :CN220583654U ,2024-03-12

[6]

一种高精度ABS传感器固定支架及工艺方法 [P].

程铸 ;

王民 .

中国专利 :CN108146420A ,2018-06-12

[7]

一种高精度压力传感器芯片的校准方法 [P].

万上宏 ;

叶媲舟 ;

涂柏生 .

中国专利 :CN107084818A ,2017-08-22

[8]

高精度传感器 [P].

唐淑娟 .

中国专利 :CN102455229A ,2012-05-16

[9]

高精度传感器 [P].

宫浩 ;

陈燕 ;

解焰阳 .

中国专利 :CN207335674U ,2018-05-08

[10]

一种全温区高精度硅压力传感器芯片制造方法 [P].

李志福 .

中国专利 :CN118687743A ,2024-09-24

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