金属氧化物脱氧技术

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010281577.6
申请日
2010-09-15
公开(公告)号
CN102399987A
公开(公告)日
2012-04-04
发明(设计)人
涂嘉晋 李应煌
申请人
申请人地址
中国台湾台北县板桥市东丘里7邻中山路二段90巷1号五楼
IPC主分类号
C22B512
IPC分类号
代理机构
北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246
代理人
龚燮英
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
部分还原某些金属氧化物的方法和脱氧金属氧化物 [P]. 
詹姆斯·A·法伊夫 .
中国专利 :CN1320104A ,2001-10-31
[2]
部分还原铌金属氧化物的方法和脱氧的铌氧化物 [P]. 
詹姆斯.A.法伊夫 .
中国专利 :CN102603002A ,2012-07-25
[3]
部分还原铌金属氧化物的方法和脱氧的铌氧化物 [P]. 
詹姆斯·A·法伊夫 .
中国专利 :CN1320103A ,2001-10-31
[4]
金属氧化物、金属氧化物的沉积方法及金属氧化物的沉积装置 [P]. 
山崎舜平 ;
神保安弘 ;
惠木勇司 ;
挂端哲弥 .
中国专利 :CN115152006A ,2022-10-04
[5]
金属-氧化物-金属电容 [P]. 
蔡志厚 ;
蔡伟浩 ;
褚嵘兴 ;
林英儒 ;
吕昭信 .
中国专利 :CN107464801B ,2017-12-12
[6]
金属氧化物-硅氧化物分层膜 [P]. 
普尔凯特·阿加瓦尔 ;
刘培基 ;
拉维·库马尔 ;
詹尼弗·利·佩特拉利亚 ;
伊斯瓦·斯里尼瓦桑 ;
巴特·J·范施拉芬迪克 .
美国专利 :CN119968693A ,2025-05-09
[7]
金属氧化物颗粒 [P]. 
K·M·汗帕尔 ;
B·U·科尔布 ;
M·M·沃格尔-马丁 ;
M·J·亨德里克森 .
中国专利 :CN105531240A ,2016-04-27
[8]
金属氧化物颗粒 [P]. 
苏吉特·库马 ;
毕向欣 ;
克雷格·R·霍恩 ;
赖茨·德利斯·哈里科里亚 ;
詹姆斯·T·加德纳 ;
罗纳德·J·莫索 ;
神部信幸 .
中国专利 :CN1915837A ,2007-02-21
[9]
铌金属氧化物 [P]. 
苏普里斯·纳根德兰 ;
克莱尔·菲洛米娜·格雷 ;
塞·希瓦雷迪 .
英国专利 :CN120752200A ,2025-10-03
[10]
金属氧化物涂层 [P]. 
S·尼亚詹斯基 ;
A·亚基莫夫 .
中国专利 :CN101445513B ,2009-06-03