部分还原某些金属氧化物的方法和脱氧金属氧化物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99811574.6

申请日：

1999-09-16

公开(公告)号：

CN1320104A

公开(公告)日：

2001-10-31

发明(设计)人：

詹姆斯·A·法伊夫

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞州

IPC主分类号：

C01G102

IPC分类号：

C01G3500 C01G3300 H01G9042 C04B35495

代理机构：

柳沈知识产权律师事务所

代理人：

张平元

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-10-31	公开	公开
2001-11-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-04-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回

共 50 条

[1]

部分还原铌金属氧化物的方法和脱氧的铌氧化物 [P].

詹姆斯.A.法伊夫 .

中国专利 :CN102603002A ,2012-07-25

[2]

部分还原铌金属氧化物的方法和脱氧的铌氧化物 [P].

詹姆斯·A·法伊夫 .

中国专利 :CN1320103A ,2001-10-31

[3]

生产铌金属氧化物的方法和氧还原的铌氧化物 [P].

戴维·M·里德 ;

斯里达·维尼加拉 ;

里奇·W·基切尔 ;

斯蒂芬·J·克劳斯 ;

希瑟·L·恩曼 ;

多兰·L·舒尔茨 ;

杰弗里·A·柯克纳 .

中国专利 :CN101676217A ,2010-03-24

[4]

生产铌金属氧化物的方法和氧还原的铌氧化物 [P].

戴维·M·里德 ;

斯里达·维尼加拉 ;

里奇·W·基切尔 ;

斯蒂芬·J·克劳斯 ;

希瑟·L·恩曼 ;

多兰·L·舒尔茨 ;

杰弗里·A·柯克纳 .

中国专利 :CN100560507C ,2006-08-30

[5]

金属氧化物脱氧技术 [P].

涂嘉晋 ;

李应煌 .

中国专利 :CN102399987A ,2012-04-04

[6]

金属/半金属氧化物的还原 [P].

阿里·雷扎·卡马里 .

中国专利 :CN108698837B ,2018-10-23

[7]

金属氧化物、金属氧化物的沉积方法及金属氧化物的沉积装置 [P].

山崎舜平 ;

神保安弘 ;

惠木勇司 ;

挂端哲弥 .

中国专利 :CN115152006A ,2022-10-04

[8]

金属氧化物膜、金属氧化物层叠体及金属氧化物层叠体的制造方法 [P].

饭塚宗明 ;

藤村俊伸 ;

中里克己 ;

佐藤享平 ;

平田纯也 .

日本专利 :CN120051436A ,2025-05-27

[9]

金属氧化物的电解还原 [P].

利斯·斯特雷佐夫 ;

伊凡·雷特切夫 ;

史蒂夫·奥斯本 .

中国专利 :CN1509346A ,2004-06-30

[10]

金属氧化物的低温还原 [P].

J.海达尔 ;

B.卡恩 ;

R.格纳纳拉扬 .

中国专利 :CN115485085A ,2022-12-16

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