一种新型晶硅SiON双面电池背钝化工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011100277.3

申请日：

2020-10-15

公开(公告)号：

CN112382696B

公开(公告)日：

2021-02-19

发明(设计)人：

杨飞飞张波鲁贵林赵科巍郭卫张云鹏李雪方郭丽杜泽霖李陈阳吕爱武

申请人：

申请人地址：

046000 山西省长治市郊区漳泽新型工业园区

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L31068 H01L310216 C23C1630 C23C16515 C23C1652 C23C1656

代理机构：

太原市科瑞达专利代理有限公司 14101

代理人：

李富元

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20201015
2022-05-10	授权	授权
2021-02-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种新型高效电池背钝化工艺 [P].

杨飞飞 ;

赵科巍 ;

郭卫 ;

申开愉 .

中国专利 :CN110061101A ,2019-07-26

[2]

一种晶体硅太阳电池的硼扩散背钝化工艺 [P].

刘进 ;

王丽 ;

郝延蔚 ;

孙瑞敏 ;

周永恒 ;

师兆忠 ;

赵辉 .

中国专利 :CN110993722A ,2020-04-10

[3]

晶体硅太阳电池背钝化工艺及其结构 [P].

王书博 ;

邓伟伟 .

中国专利 :CN102376821A ,2012-03-14

[4]

一种多晶硅太阳能电池的背场钝化工艺 [P].

孟战胜 ;

赵俊 ;

鹏宋东 .

中国专利 :CN118173644A ,2024-06-11

[5]

一种晶硅太阳能电池表面钝化工艺 [P].

任现坤 ;

杨晓君 ;

仲伟佳 ;

葛永见 ;

曹振 ;

郭瑞静 ;

陈冲 .

中国专利 :CN112563372B ,2021-03-26

[6]

PERC太阳能电池高效背钝化工艺 [P].

缪强 ;

蒋红彬 ;

常宇峰 ;

于亚春 ;

庞国峰 .

中国专利 :CN113809204A ,2021-12-17

[7]

一种新型P型晶硅电池背接触钝化制备工艺 [P].

杨飞飞 ;

鲁贵林 ;

赵科巍 ;

张云鹏 ;

郭丽 ;

李雪方 ;

吕爱武 ;

杜泽霖 ;

李陈阳 .

中国专利 :CN112071959A ,2020-12-11

[8]

一种PERC电池背面钝化工艺 [P].

闫涛 ;

张冠纶 ;

吴俊旻 ;

常青 ;

扈静 .

中国专利 :CN106992229A ,2017-07-28

[9]

用于P型晶体硅太阳能电池硼扩散背钝化工艺 [P].

房强 ;

张华灿 ;

王军 ;

赵钊 ;

韩传龙 .

中国专利 :CN109860312A ,2019-06-07

[10]

一种P型晶硅双面电池退火增强背钝化方法 [P].

杨飞飞 ;

张波 ;

鲁贵林 ;

赵科巍 ;

吕爱武 ;

张云鹏 ;

申开愉 .

中国专利 :CN114765234A ,2022-07-19

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