一种半导体器件可靠性测试方法及装置

被引：0

申请号：

CN202111329377.8

申请日：

2021-11-10

公开(公告)号：

CN114266212B

公开(公告)日：

2022-04-01

发明(设计)人：

柴常春秦英朔李福星孟祥瑞宋博奇陈柯旭

申请人：

申请人地址：

710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

G06F303308

IPC分类号：

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

王萌

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-09	授权	授权
2022-04-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 30/3308 申请日:20211110
2022-04-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

崔卫刚 .

中国专利 :CN121126857A ,2025-12-12

[2]

半导体器件可靠性测试结构及测试方法 [P].

姚斌 ;

王冰琪 .

中国专利 :CN119812164A ,2025-04-11

[3]

测试半导体器件可靠性的方法 [P].

刘晓彦 ;

杨佳琦 ;

康晋锋 ;

杨竞峰 ;

韩汝琦 ;

陈冰 .

中国专利 :CN102073004B ,2011-05-25

[4]

半导体器件及方法 [P].

G.普雷希特尔 .

中国专利 :CN103311291B ,2013-09-18

[5]

一种功率半导体器件的可靠性测试方法及系统 [P].

谢岳城 ;

陈明翊 ;

廖军 ;

丁云 ;

彭银中 ;

邹杰 ;

陈玉其 .

中国专利 :CN111766489A ,2020-10-13

[6]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

浅野正义 ;

三谷纯一 .

中国专利 :CN102623489A ,2012-08-01

[7]

集成多功能半导体器件可靠性测试装置 [P].

张晓东 ;

魏星 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN212031653U ,2020-11-27

[8]

半导体结构及其可靠性测试方法 [P].

贺晓悦 ;

周军 .

中国专利 :CN118053823A ,2024-05-17

[9]

高可靠性半导体器件 [P].

唐兴军 ;

王亚 .

中国专利 :CN211957635U ,2020-11-17

[10]

高可靠性半导体器件 [P].

张雄杰 ;

何洪运 ;

程琳 .

中国专利 :CN106409804A ,2017-02-15

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