一种功率半导体器件的可靠性测试方法及系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910238052.5

申请日：

2019-03-27

公开(公告)号：

CN111766489A

公开(公告)日：

2020-10-13

发明(设计)人：

谢岳城陈明翊廖军丁云彭银中邹杰陈玉其

申请人：

申请人地址：

412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

代理机构：

北京聿华联合知识产权代理有限公司 11611

代理人：

李哲伟;张文娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20190327
2020-10-13	公开	公开

共 50 条

[1]

测试半导体器件可靠性的方法 [P].

刘晓彦 ;

杨佳琦 ;

康晋锋 ;

杨竞峰 ;

韩汝琦 ;

陈冰 .

中国专利 :CN102073004B ,2011-05-25

[2]

一种半导体器件可靠性测试方法及装置 [P].

柴常春 ;

秦英朔 ;

李福星 ;

孟祥瑞 ;

宋博奇 ;

陈柯旭 .

中国专利 :CN114266212B ,2022-04-01

[3]

半导体器件可靠性测试结构及测试方法 [P].

姚斌 ;

王冰琪 .

中国专利 :CN119812164A ,2025-04-11

[4]

高可靠性耗尽型功率半导体器件 [P].

叶俊 ;

张邵华 .

中国专利 :CN203013735U ,2013-06-19

[5]

基于应力叠加的半导体器件加速可靠性测试方法及装置 [P].

黎佩锋 ;

田求发 ;

何永志 ;

梁柱 ;

黄平 .

中国专利 :CN120177984B ,2025-08-01

[6]

基于应力叠加的半导体器件加速可靠性测试方法及装置 [P].

黎佩锋 ;

田求发 ;

何永志 ;

梁柱 ;

黄平 .

中国专利 :CN120177984A ,2025-06-20

[7]

半导体器件的可靠性测试结构及其测试方法 [P].

冯军宏 .

中国专利 :CN106684008A ,2017-05-17

[8]

高可靠性功率半导体器件及其制作方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

杨卓 .

中国专利 :CN113745339B ,2021-12-03

[9]

半导体功率器件可靠性检测箱及检测方法 [P].

温灵生 ;

何晓宁 ;

刘兴 .

中国专利 :CN114675119A ,2022-06-28

[10]

高可靠性SiC沟槽型功率半导体器件及制备方法 [P].

杨飞 ;

吴凯 ;

张广银 ;

徐真逸 ;

任雨 .

中国专利 :CN114695556A ,2022-07-01

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