半导体结构及其可靠性测试方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211408184.6

申请日：

2022-11-10

公开(公告)号：

CN118053823A

公开(公告)日：

2024-05-17

发明(设计)人：

贺晓悦周军

申请人：

华为技术有限公司

申请人地址：

518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

IPC主分类号：

H01L23/34

IPC分类号：

H01L23/544 H01L21/66

代理机构：

北京中博世达专利商标代理有限公司 11274

代理人：

申健

法律状态：

公开

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-17	公开	公开
2025-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/34申请日:20221110

共 50 条

[1]

半导体可靠性测试结构 [P].

钟贤岱 ;

朱月芹 ;

宋永梁 .

中国专利 :CN206574678U ,2017-10-20

[2]

一种半导体可靠性测试结构 [P].

林倩 ;

张晓明 ;

贾国庆 .

中国专利 :CN207800555U ,2018-08-31

[3]

功率半导体可靠性测试平台 [P].

吕延威 ;

吕柯桦 ;

潘瑾 .

中国专利 :CN308616442S ,2024-05-03

[4]

半导体激光器的可靠性测试方法 [P].

章林强 ;

詹敦平 ;

周四海 .

中国专利 :CN102520329A ,2012-06-27

[5]

半导体结构及其测试方法 [P].

陈翀一 ;

刘淑娟 ;

杨展頔 ;

彭昊阳 .

中国专利 :CN119890188A ,2025-04-25

[6]

高可靠性电力半导体封装结构 [P].

许海东 .

中国专利 :CN209544333U ,2019-10-25

[7]

一种半导体器件可靠性测试方法及装置 [P].

柴常春 ;

秦英朔 ;

李福星 ;

孟祥瑞 ;

宋博奇 ;

陈柯旭 .

中国专利 :CN114266212B ,2022-04-01

[8]

一种半导体晶圆的可靠性测试方法 [P].

孙伟 ;

谭秋阳 ;

毛赛君 .

中国专利 :CN117907789B ,2024-05-31

[9]

一种半导体晶圆的可靠性测试方法 [P].

孙伟 ;

谭秋阳 ;

毛赛君 .

中国专利 :CN117907789A ,2024-04-19

[10]

组合式半导体可靠性测试系统 [P].

韦尼·图拉帕蒂 ;

布瑞特·哈里 ;

蒂莫西·麦克马伦 ;

理查德·本杰明 .

中国专利 :CN1232546A ,1999-10-20

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